Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ
NTTFS4824NTWG
ON Semiconductor

NTTFS4824NTWG

ចំណែកផ្នែក: 716

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.3A (Ta), 69A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 11.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDS6688AS
ON Semiconductor

FDS6688AS

ចំណែកផ្នែក: 613

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDD6778A
ON Semiconductor

FDD6778A

ចំណែកផ្នែក: 638

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A (Ta), 10A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTB5412NT4G
ON Semiconductor

NTB5412NT4G

ចំណែកផ្នែក: 6085

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 60A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMDF3N02HDR2G
ON Semiconductor

MMDF3N02HDR2G

ចំណែកផ្នែក: 838

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.8A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDD7030BL
ON Semiconductor

FDD7030BL

ចំណែកផ្នែក: 617

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Ta), 56A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD4N50TM_WS
ON Semiconductor

FQD4N50TM_WS

ចំណែកផ្នែក: 570

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDI025N06
ON Semiconductor

FDI025N06

ចំណែកផ្នែក: 624

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 265A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTB30P06VT4G
ON Semiconductor

MTB30P06VT4G

ចំណែកផ្នែក: 600

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDP8870-F085
ON Semiconductor

FDP8870-F085

ចំណែកផ្នែក: 581

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 19A (Ta), 156A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTD70N03RT4G
ON Semiconductor

NTD70N03RT4G

ចំណែកផ្នែក: 892

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A (Ta), 32A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTB75N06T4G
ON Semiconductor

NTB75N06T4G

ចំណែកផ្នែក: 839

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 75A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SCH2825-TL-E
ON Semiconductor

SCH2825-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 150222

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.6A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 800mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDT55AN06LA0
ON Semiconductor

FDT55AN06LA0

ចំណែកផ្នែក: 579

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12.1A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 11A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NILMS4501NR2G
ON Semiconductor

NILMS4501NR2G

ចំណែកផ្នែក: 848

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 24V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD5N60CTM_F080
ON Semiconductor

FQD5N60CTM_F080

ចំណែកផ្នែក: 647

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.8A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFR120ATM
ON Semiconductor

IRFR120ATM

ចំណែកផ្នែក: 712

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FD70N20PWD
ON Semiconductor

FD70N20PWD

ចំណែកផ្នែក: 612

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 70A (Ta),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD2N60CTF_F080
ON Semiconductor

FQD2N60CTF_F080

ចំណែកផ្នែក: 714

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.9A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSH70N10A
ON Semiconductor

SSH70N10A

ចំណែកផ្នែក: 739

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 70A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 35A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSP45N20B_FP001
ON Semiconductor

SSP45N20B_FP001

ចំណែកផ្នែក: 789

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 35A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 17.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQU6N40CTU_NBEA001
ON Semiconductor

FQU6N40CTU_NBEA001

ចំណែកផ្នែក: 624

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDD16AN08A0_NF054
ON Semiconductor

FDD16AN08A0_NF054

ចំណែកផ្នែក: 623

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A (Ta), 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTD4804NAT4G
ON Semiconductor

NTD4804NAT4G

ចំណែកផ្នែក: 586

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14.5A (Ta), 124A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 11.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQA6N80_F109
ON Semiconductor

FQA6N80_F109

ចំណែកផ្នែក: 664

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.3A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDP15N65
ON Semiconductor

FDP15N65

ចំណែកផ្នែក: 6152

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 650V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTK3043NAT5G
ON Semiconductor

NTK3043NAT5G

ចំណែកផ្នែក: 635

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 210mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.65V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTP20N15EG
ON Semiconductor

MTP20N15EG

ចំណែកផ្នែក: 725

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTD12N10T4G
ON Semiconductor

NTD12N10T4G

ចំណែកផ្នែក: 895

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 6A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTD5414NT4G
ON Semiconductor

NTD5414NT4G

ចំណែកផ្នែក: 670

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 24A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 24A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD2P40TF_F080
ON Semiconductor

FQD2P40TF_F080

ចំណែកផ្នែក: 681

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.56A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 780mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTLJS3180PZTAG
ON Semiconductor

NTLJS3180PZTAG

ចំណែកផ្នែក: 643

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTD4810NT4G
ON Semiconductor

NTD4810NT4G

ចំណែកផ្នែក: 850

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A (Ta), 54A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 11.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTMFS4845NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4845NT3G

ចំណែកផ្នែក: 598

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13.7A (Ta), 115A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTHS5441PT1G
ON Semiconductor

NTHS5441PT1G

ចំណែកផ្នែក: 626

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.9A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SFH9240
ON Semiconductor

SFH9240

ចំណែកផ្នែក: 630

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា