Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ
NTD14N03RT4G
ON Semiconductor

NTD14N03RT4G

ចំណែកផ្នែក: 159388

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDS9431A
ON Semiconductor

FDS9431A

ចំណែកផ្នែក: 164437

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD10N20LTM
ON Semiconductor

FQD10N20LTM

ចំណែកផ្នែក: 159394

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NVTR0202PLT1G
ON Semiconductor

NVTR0202PLT1G

ចំណែកផ្នែក: 118064

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 400mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 200mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTJS3157NT1G
ON Semiconductor

NTJS3157NT1G

ចំណែកផ្នែក: 174664

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.2A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDS6679
ON Semiconductor

FDS6679

ចំណែកផ្នែក: 89382

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD5N60CTM
ON Semiconductor

FQD5N60CTM

ចំណែកផ្នែក: 109427

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.8A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQB7N60TM
ON Semiconductor

FQB7N60TM

ចំណែកផ្នែក: 61079

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.7A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDS6692A
ON Semiconductor

FDS6692A

ចំណែកផ្នែក: 193799

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 9A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDB8896
ON Semiconductor

FDB8896

ចំណែកផ្នែក: 87223

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 19A (Ta), 93A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDP3682
ON Semiconductor

FDP3682

ចំណែកផ្នែក: 38140

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Ta), 32A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 32A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HUF75329D3ST
ON Semiconductor

HUF75329D3ST

ចំណែកផ្នែក: 136075

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDS3580
ON Semiconductor

FDS3580

ចំណែកផ្នែក: 89335

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.6A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7.6A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTD5C464NT4G
ON Semiconductor

NTD5C464NT4G

ចំណែកផ្នែក: 99

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 19A (Ta), 59A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDPF8D5N10C
ON Semiconductor

FDPF8D5N10C

ចំណែកផ្នែក: 42

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 76A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 76A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD13N06LTM
ON Semiconductor

FQD13N06LTM

ចំណែកផ្នែក: 159980

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 5.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SVD5867NLT4G
ON Semiconductor

SVD5867NLT4G

ចំណែកផ្នែក: 107971

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 11A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD6N50CTM
ON Semiconductor

FQD6N50CTM

ចំណែកផ្នែក: 165446

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD12N20TM
ON Semiconductor

FQD12N20TM

ចំណែកផ្នែក: 106913

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD13N10LTM
ON Semiconductor

FQD13N10LTM

ចំណែកផ្នែក: 120408

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD7N30TM
ON Semiconductor

FQD7N30TM

ចំណែកផ្នែក: 153217

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 2.75A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDH038AN08A1
ON Semiconductor

FDH038AN08A1

ចំណែកផ្នែក: 9972

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A (Ta), 80A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDMA037N08LC
ON Semiconductor

FDMA037N08LC

ចំណែកផ្នែក: 84

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 36.5 mOhm @ 4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTR3C21NZT3G
ON Semiconductor

NTR3C21NZT3G

ចំណែកផ្នែក: 154093

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ECH8420-TL-H
ON Semiconductor

ECH8420-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 112533

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 7A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDP030N06B-F102
ON Semiconductor

FDP030N06B-F102

ចំណែកផ្នែក: 98

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 100A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQD13N10TM
ON Semiconductor

FQD13N10TM

ចំណែកផ្នែក: 143686

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDS8896
ON Semiconductor

FDS8896

ចំណែកផ្នែក: 158257

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTLUS3C18PZTBG
ON Semiconductor

NTLUS3C18PZTBG

ចំណែកផ្នែក: 163997

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.4A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MCH6445-TL-W
ON Semiconductor

MCH6445-TL-W

ចំណែកផ្នែក: 158731

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDPF39N20TLDTU
ON Semiconductor

FDPF39N20TLDTU

ចំណែកផ្នែក: 46321

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 19.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FDD2582
ON Semiconductor

FDD2582

ចំណែកផ្នែក: 109847

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.7A (Ta), 21A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 7A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HUF75321D3ST
ON Semiconductor

HUF75321D3ST

ចំណែកផ្នែក: 167423

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NVD6495NLT4G-VF01
ON Semiconductor

NVD6495NLT4G-VF01

ចំណែកផ្នែក: 159757

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 25A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NVD5C486NT4G
ON Semiconductor

NVD5C486NT4G

ចំណែកផ្នែក: 143

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.2A (Ta), 23A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FQP2N40-F080
ON Semiconductor

FQP2N40-F080

ចំណែកផ្នែក: 151

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.8A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.8 Ohm @ 900mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា