Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអុបទិក - ម៉ាស៊ីនព្រីនធឺរទ័រ - ប្រភេ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអុបទិក - ម៉ាស៊ីនព្រីនធឺរទ័រ - ប្រភេ
EE-SX1115
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1115

ចំណែកផ្នែក: 23494

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SA105
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA105

ចំណែកផ្នែក: 10410

វិធីសាស្ត្ររំញោច: Actuator, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1350
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1350

ចំណែកផ្នែក: 54189

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX198
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX198

ចំណែកផ្នែក: 23602

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SV3
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3

ចំណែកផ្នែក: 10017

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX129
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX129

ចំណែកផ្នែក: 14862

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1041
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1041

ចំណែកផ្នែក: 26774

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1105
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1105

ចំណែកផ្នែក: 36692

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1061
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1061

ចំណែកផ្នែក: 34477

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.142" (3.6mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1070
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1070

ចំណែកផ្នែក: 22419

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.315" (8mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1071
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1071

ចំណែកផ្នែក: 24563

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SA104
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA104

ចំណែកផ្នែក: 21185

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1031
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1031

ចំណែកផ្នែក: 9457

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: 2 NPN, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1137
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1137

ចំណែកផ្នែក: 26619

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SA103
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA103

ចំណែកផ្នែក: 46470

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SV3-DS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-DS

ចំណែកផ្នែក: 9640

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1160-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1160-W11

ចំណែកផ្នែក: 5407

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.374" (9.5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1088-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1088-W11

ចំណែកផ្នែក: 5667

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1018
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1018

ចំណែកផ្នែក: 20635

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SG3
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SG3

ចំណែកផ្នែក: 13113

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.142" (3.6mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1025
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1025

ចំណែកផ្នែក: 19938

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.110" (2.8mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1046
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1046

ចំណែកផ្នែក: 16742

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1106
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1106

ចំណែកផ្នែក: 36662

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1161-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1161-W11

ចំណែកផ្នែក: 5717

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.126" (3.2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1055
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1055

ចំណែកផ្នែក: 23952

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.110" (2.8mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SH3-GS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-GS

ចំណែកផ្នែក: 15860

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SV3-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-B

ចំណែកផ្នែក: 11328

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX153
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX153

ចំណែកផ្នែក: 14873

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SH3-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-B

ចំណែកផ្នែក: 15230

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1340
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1340

ចំណែកផ្នែក: 64711

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.157" (4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SH3-C
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-C

ចំណែកផ្នែក: 10574

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1320
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1320

ចំណែកផ្នែក: 126846

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 5mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1035
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1035

ចំណែកផ្នែក: 18256

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.205" (5.2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1321
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1321

ចំណែកផ្នែក: 82172

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SJ3-D
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SJ3-D

ចំណែកផ្នែក: 10598

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EE-SX1103
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1103

ចំណែកផ្នែក: 36621

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា