ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអុបទិក - ម៉ាស៊ីនព្រីនធឺរទ័រ - ប្រភេ

EE-SH3

ចំណែកផ្នែក: 14281

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SM3

ចំណែកផ្នែក: 6127

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Photodarlington, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 15mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

EE-SX138

ចំណែកផ្នែក: 20503

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SV3-G

ចំណែកផ្នែក: 16057

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1108

ចំណែកផ្នែក: 33381

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

EE-SH3-D

ចំណែកផ្នែក: 15785

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1109

ចំណែកផ្នែក: 83024

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

EE-SX1096-W1

ចំណែកផ្នែក: 3619

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1109-1

ចំណែកផ្នែក: 6014

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

EE-SX1096

ចំណែកផ្នែក: 31150

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SJ5-B

ចំណែកផ្នែក: 16358

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SA102

ចំណែកផ្នែក: 33465

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1082

ចំណែកផ្នែក: 6077

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1131-1

ចំណែកផ្នែក: 5995

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: 2 NPN, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

EE-SM3B

ចំណែកផ្នែក: 6070

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Photodarlington, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 15mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

EE-SH3-DS

ចំណែកផ្នែក: 15812

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1108-1

ចំណែកផ្នែក: 6071

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

EE-SX298

ចំណែកផ្នែក: 5978

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Photodarlington, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

EE-SX1107

ចំណែកផ្នែក: 88000

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

EE-SA113

ចំណែកផ្នែក: 5994

វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SJ3-C

ចំណែកផ្នែក: 13316

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SJ3-G

ចំណែកផ្នែក: 11331

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1131

ចំណែកផ្នែក: 82125

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: 2 NPN, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

EE-SX2088

ចំណែកផ្នែក: 6060

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Photodarlington, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

EE-SK3W-B

ចំណែកផ្នែក: 6096

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Photodarlington, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 15mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

EE-SV3-CS

ចំណែកផ្នែក: 9989

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1107-1

ចំណែកផ្នែក: 9619

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

EE-SV3-GS

ចំណែកផ្នែក: 6012

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1330

ចំណែកផ្នែក: 117478

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA,

EE-SX1088-W1

ចំណែកផ្នែក: 6108

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1128

ចំណែកផ្នែក: 42770

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.165" (4.2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SG3-B

ចំណែកផ្នែក: 13033

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.142" (3.6mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1023-W1

ចំណែកផ្នែក: 9340

EE-SX1081

ចំណែកផ្នែក: 21230

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SV3-C

ចំណែកផ្នែក: 10019

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1140

ចំណែកផ្នែក: 13152

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.551" (14mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,