ការចងចាំ

MT29F128G08CBCEBL05B3WC1

MT29F128G08CBCEBL05B3WC1

ចំណែកផ្នែក: 78

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F4G16ABBDAHC:D

MT29F4G16ABBDAHC:D

ចំណែកផ្នែក: 242

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (256M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
N25Q128A11EV740

N25Q128A11EV740

ចំណែកផ្នែក: 8402

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (32M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1

ចំណែកផ្នែក: 3422

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 128Gb (16G x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT25QL128ABA1EW9-0SIT

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

ចំណែកផ្នែក: 37092

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
N25Q128A13E1241F TR

N25Q128A13E1241F TR

ចំណែកផ្នែក: 32837

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (32M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT49H16M36SJ-18:B

MT49H16M36SJ-18:B

ចំណែកផ្នែក: 1405

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 576Mb (16M x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 533MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT53B256M32D1NP-053 WT:C

MT53B256M32D1NP-053 WT:C

ចំណែកផ្នែក: 125

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 8Gb (256M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D

MT29F128G08AKEDBJ5-12:D

ចំណែកផ្នែក: 3349

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 128Gb (16G x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT25TL512BAA1ESF-0AAT

MT25TL512BAA1ESF-0AAT

ចំណែកផ្នែក: 7035

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F64G08CBABAWP:B TR

MT29F64G08CBABAWP:B TR

ចំណែកផ្នែក: 8853

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 64Gb (8G x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28GU512AAA2EGC-0AAT

MT28GU512AAA2EGC-0AAT

ចំណែកផ្នែក: 5796

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
N25Q064A13ESFH0F TR

N25Q064A13ESFH0F TR

ចំណែកផ្នែក: 5984

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (16M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M25PE10-VD11

M25PE10-VD11

ចំណែកផ្នែក: 8451

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 75MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EDFP112A3PB-JD-F-R

EDFP112A3PB-JD-F-R

ចំណែកផ្នែក: 6374

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR3, ទំហំសតិ: 24Gb (192M x 128), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
EDFP112A3PB-JD-F-D TR

EDFP112A3PB-JD-F-D TR

ចំណែកផ្នែក: 6383

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR3, ទំហំសតិ: 24Gb (192M x 128), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28EW128ABA1LPC-1SIT

MT28EW128ABA1LPC-1SIT

ចំណែកផ្នែក: 28269

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M25PX80-VMP6TG0X TR

M25PX80-VMP6TG0X TR

ចំណែកផ្នែក: 5047

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 75MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F2G08ABAEAH4-E:E

MT29F2G08ABAEAH4-E:E

ចំណែកផ្នែក: 1393

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

ចំណែកផ្នែក: 6616

បញ្ជីប្រាថ្នា
M25PX80-VMN6TPZ1 TR

M25PX80-VMN6TPZ1 TR

ចំណែកផ្នែក: 8612

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 75MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT41K1G16DGA-125:A

MT41K1G16DGA-125:A

ចំណែកផ្នែក: 1808

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 16Gb (1G x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTFC4GACAAAM-1M WT

MTFC4GACAAAM-1M WT

ចំណែកផ្នែក: 8348

បញ្ជីប្រាថ្នា
N25Q064A13ESED0F TR

N25Q064A13ESED0F TR

ចំណែកផ្នែក: 48115

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (16M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT25QU128ABA1ESE-0SIT

MT25QU128ABA1ESE-0SIT

ចំណែកផ្នែក: 39573

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
N25Q064A13E14D1E

N25Q064A13E14D1E

ចំណែកផ្នែក: 9032

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (16M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M25PX80-VMP6TG0C TR

M25PX80-VMP6TG0C TR

ចំណែកផ្នែក: 5065

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 75MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M25P40-VMP6TGB0A TR

M25P40-VMP6TGB0A TR

ចំណែកផ្នែក: 5090

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 75MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
N25Q016A11EF640F TR

N25Q016A11EF640F TR

ចំណែកផ្នែក: 8675

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 1ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M58BW16FB5ZA3F TR

M58BW16FB5ZA3F TR

ចំណែកផ្នែក: 9689

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (512K x 32), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
N25Q128A13EW7DFE

N25Q128A13EW7DFE

ចំណែកផ្នែក: 8434

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (32M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
N25Q032A13ESEC0E

N25Q032A13ESEC0E

ចំណែកផ្នែក: 9947

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (8M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28GU512AAA1EGC-0SIT

MT28GU512AAA1EGC-0SIT

ចំណែកផ្នែក: 6564

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

ចំណែកផ្នែក: 1501

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 576Mb (16M x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
N25Q064A13EF8A0F TR

N25Q064A13EF8A0F TR

ចំណែកផ្នែក: 36748

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (16M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B

MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B

ចំណែកផ្នែក: 3211

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Gb (64G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា