ការចងចាំ

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

ចំណែកផ្នែក: 8288

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR

ចំណែកផ្នែក: 4821

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

MT53B4DATT-DC

ចំណែកផ្នែក: 5834

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MTFC16GAPALNA-AIT TR

ចំណែកផ្នែក: 177

MT53D8DARG-DC TR

ចំណែកផ្នែក: 9819

MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR

ចំណែកផ្នែក: 8785

MT35XL01GBBA1G12-0AAT

ចំណែកផ្នែក: 1225

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D

ចំណែកផ្នែក: 2051

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 64Gb (2G x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT35XU512ABA2G12-0AUT TR

ចំណែកផ្នែក: 8879

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz,

MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

ចំណែកផ្នែក: 8122

MT52L256M32D1PU-107 WT:B

ចំណែកផ្នែក: 5723

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR3, ទំហំសតិ: 8Gb (256M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D

ចំណែកផ្នែក: 2356

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

N25Q512A83G12A0F

ចំណែកផ្នែក: 2558

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (128M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 5ms,

MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E

ចំណែកផ្នែក: 1297

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8),

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

ចំណែកផ្នែក: 1451

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (1G x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR

ចំណែកផ្នែក: 2716

MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR

ចំណែកផ្នែក: 8883

EDF8164A3MC-GD-F-R

ចំណែកផ្នែក: 7954

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR3, ទំហំសតិ: 8Gb (128M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz,

MTFC64GAPALBH-AAT ES

ចំណែកផ្នែក: 3804

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Gb (64G x 8),

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D

ចំណែកផ្នែក: 3700

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR

ចំណែកផ្នែក: 8496

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR

ចំណែកផ្នែក: 8779

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

ចំណែកផ្នែក: 96

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

ចំណែកផ្នែក: 3989

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 48Gb (768M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MTFC64GAPALBH-AIT ES

ចំណែកផ្នែក: 7736

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Gb (64G x 8),

MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D

ចំណែកផ្នែក: 2271

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

ចំណែកផ្នែក: 3717

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D

ចំណែកផ្នែក: 5982

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 48Gb (1.5G x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53D4DBFL-DC

ចំណែកផ្នែក: 8339

MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

ចំណែកផ្នែក: 8023

MT53B4DAPV-DC

ចំណែកផ្នែក: 1736

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

ចំណែកផ្នែក: 9527

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT53D4DACR-DC TR

ចំណែកផ្នែក: 3348

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT25QL256ABA8E14-1SIT

ចំណែកផ្នែក: 910

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C

ចំណែកផ្នែក: 2432

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 24Gb (768M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR

ចំណែកផ្នែក: 3455

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,