ការចងចាំ

MTFC32GAKAENA-4M IT TR

ចំណែកផ្នែក: 4886

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8),

MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR

ចំណែកផ្នែក: 35

M58LT128HST8ZA6F TR

ចំណែកផ្នែក: 2608

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 52MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 85ns,

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

ចំណែកផ្នែក: 66

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR

ចំណែកផ្នែក: 69

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Tb (128G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

ចំណែកផ្នែក: 51

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 768Gb (96G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

MT53D512M32D2DS-053 WT:D

ចំណែកផ្នែក: 39

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

ចំណែកផ្នែក: 2227

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 288Mb (16M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz,

MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR

ចំណែកផ្នែក: 117

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (256M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT52L256M64D2FT-107 WT:B

ចំណែកផ្នែក: 28

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

ចំណែកផ្នែក: 44

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 24Gb (768M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

ចំណែកផ្នែក: 94

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT49H16M36SJ-25E:B

ចំណែកផ្នែក: 1561

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 576Mb (16M x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz,

MTFC32GAPALBH-AAT TR

ចំណែកផ្នែក: 107

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GJWDQ-4L AIT Z

ចំណែកផ្នែក: 8056

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8),

MT44K32M18RB-107E:B

ចំណែកផ្នែក: 112

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 576Mb (32M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MTFC64GAOAMEA-WT

ចំណែកផ្នែក: 81

MT44K16M36RB-093F:B TR

ចំណែកផ្នែក: 1224

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 576Mb (16M x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1067MHz,

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A

ចំណែកផ្នែក: 2556

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 32Gb (4G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

MT48LC8M32B2B5-7 TR

ចំណែកផ្នែក: 2317

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 143MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 14ns,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

ចំណែកផ្នែក: 88

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT45W4MW16BFB-706 WT F

ចំណែកផ្នែក: 2364

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: PSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: PSRAM (Pseudo SRAM), ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

ចំណែកផ្នែក: 132

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

ចំណែកផ្នែក: 2146

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8),

MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

ចំណែកផ្នែក: 73

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (256M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT51K256M32HF-60 N:B

ចំណែកផ្នែក: 34

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: SGRAM - GDDR5, ទំហំសតិ: 8Gb (256M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1.5GHz,

MT52L768M32D3PU-107 WT:B

ចំណែកផ្នែក: 120

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR3, ទំហំសតិ: 24Gb (768M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 61

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53B256M64D2NL-062 XT:C

ចំណែកផ្នែក: 2531

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (256M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT53B384M64D4NK-053 WT:B

ចំណែកផ្នែក: 63

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 24Gb (384M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

ចំណែកផ្នែក: 85

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT53E512M32D2NP-046 WT:E

ចំណែកផ្នែក: 107

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E

ចំណែកផ្នែក: 7307

MT53D256M64D4NY-046 XT:B

ចំណែកផ្នែក: 99

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (256M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT40A2G8NRE-083E:B

ចំណែកផ្នែក: 42

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (2G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1.2GHz,

MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR

ចំណែកផ្នែក: 1487

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8),