ការចងចាំ

MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR

ចំណែកផ្នែក: 2603

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT28F128J3RP-12 ET

ចំណែកផ្នែក: 2388

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MT48LC16M16A2P-7E L:D TR

ចំណែកផ្នែក: 9557

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (16M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 14ns,

MT48LC8M8A2P-75:G

ចំណែកផ្នែក: 2616

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT45W1MW16PAFA-70 WT

ចំណែកផ្នែក: 4549

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: PSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: PSRAM (Pseudo SRAM), ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

MT46V16M16TG-75:F

ចំណែកផ្នែក: 5872

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 256Mb (16M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT28F800B3SG-9 TET

ចំណែកផ្នែក: 3927

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

MT48V8M16LFB4-10:G TR

ចំណែកផ្នែក: 3305

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT28F400B3WG-8 BET TR

ចំណែកផ្នែក: 2903

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

MT46V64M8BN-5B:D

ចំណែកផ្នែក: 3832

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT46V16M8TG-75:D

ចំណែកផ្នែក: 6002

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48H16M32L2F5-10

ចំណែកផ្នែក: 8867

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 512Mb (16M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

MT46V64M8P-75Z:D TR

ចំណែកផ្នែក: 8165

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT45W2MW16PABA-70 IT

ចំណែកផ្នែក: 4669

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: PSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: PSRAM (Pseudo SRAM), ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

MT48LC16M16A2P-75 L:D

ចំណែកផ្នែក: 9491

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (16M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48LC8M16A2P-6A:G TR

ចំណែកផ្នែក: 1612

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 12ns,

MT46V64M8TG-75 IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 8212

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48LC4M32LFB5-10:G

ចំណែកផ្នែក: 1012

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 128Mb (4M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48LC4M16A2P-75 L:G

ចំណែកផ្នែក: 4100

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT46V64M8FN-75 IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 7938

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48H4M16LFB4-10 IT

ចំណែកផ្នែក: 8969

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT28F320J3RG-11 GMET

ចំណែកផ្នែក: 2539

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

MT45W4MW16PFA-70 WT

ចំណែកផ្នែក: 5090

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: PSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: PSRAM (Pseudo SRAM), ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

MT46V64M4TG-75:G

ចំណែកផ្នែក: 7577

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 256Mb (64M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT46V64M8P-75:D

ចំណែកផ្នែក: 8175

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48V8M32LFF5-8 IT

ចំណែកផ្នែក: 3820

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 125MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT28F008B3VG-9 TET

ចំណែកផ្នែក: 2040

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR

ចំណែកផ្នែក: 131

MT47H256M4B7-5E:A TR

ចំណែកផ្នែក: 4969

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (256M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48LC32M8A2TG-75 IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 579

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48LC8M16LFF4-8:G

ចំណែកផ្នែក: 2100

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 125MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48H4M16LFF4-10 IT

ចំណែកផ្នែក: 9088

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT46V64M8BN-75:D

ចំណែកផ្នែក: 7825

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT28F640J3FS-115 XMET TR

ចំណែកផ្នែក: 3702

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MTFC128GAJAECE-AAT TR

ចំណែកផ្នែក: 66

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Tb (128G x 8),

MT48LC32M16A2TG-75 L:C

ចំណែកផ្នែក: 132

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,