ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 16V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 4, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 5V ~ 10V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.3V, 1.7V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 13.2V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.607V, 1.615V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 16V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
