ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 1

TC6320TG-G

ចំណែកផ្នែក: 68318

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC7920K6-G

ចំណែកផ្នែក: 49864

ប្រភេទហ្វីត: 2 N and 2 P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TD9944TG-G

ចំណែកផ្នែក: 65575

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 240V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC2320TG-G

ចំណែកផ្នែក: 63061

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC6320K6-G

ចំណែកផ្នែក: 71235

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC8020K6-G-M937

ចំណែកផ្នែក: 11166

ប្រភេទហ្វីត: 6 N and 6 P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC6321T-V/9U

ចំណែកផ្នែក: 64633

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

DN2625DK6-G

ចំណែកផ្នែក: 28122

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Depletion Mode, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC6215TG-G

ចំណែកផ្នែក: 66450

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC8020K6-G

ចំណែកផ្នែក: 8617

ប្រភេទហ្វីត: 6 N and 6 P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC1550TG-G

ចំណែកផ្នែក: 16138

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

LP1030DK1-G

ចំណែកផ្នែក: 2955

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

LN100LA-G

ចំណែកផ្នែក: 2875

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Cascoded), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.6V @ 10µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC8220K6-G

ចំណែកផ្នែក: 47950

ប្រភេទហ្វីត: 2 N and 2 P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា