ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

ផ្ទហ
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

TP2540N3-G-P002

ចំណែកផ្នែក: 65888

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 86mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VN10KN3-G-P003

ចំណែកផ្នែក: 174415

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 310mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

LND150N3-G-P002

Microchip Technology

LND150N3-G-P002

ចំណែកផ្នែក: 183557

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 0V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

TN0604N3-G-P005

Microchip Technology

TN0604N3-G-P005

ចំណែកផ្នែក: 87196

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 700mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

MCP87055T-U/LC

ចំណែកផ្នែក: 166136

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 60A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

TN0620N3-G-P014

Microchip Technology

TN0620N3-G-P014

ចំណែកផ្នែក: 71164

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VN2410L-G-P014

ចំណែកផ្នែក: 96918

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 240V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 190mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TN2124K1-G

ចំណែកផ្នែក: 145383

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 240V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 134mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 3V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 120mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VP2450N8-G

ចំណែកផ្នែក: 58167

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 160mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TP2522N8-G

ចំណែកផ្នែក: 71202

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 220V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 260mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TN5335K1-G

ចំណែកផ្នែក: 124592

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 350V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 110mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 3V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TP5322N8-G

ចំណែកផ្នែក: 145311

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 220V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 260mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

DN3535N8-G

ចំណែកផ្នែក: 136838

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 350V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 230mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 0V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 0V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

TP0606N3-G-P002

ចំណែកផ្នែក: 102565

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 320mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TN5325N8-G

ចំណែកផ្នែក: 158539

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 316mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

TN5325N3-G-P002

Microchip Technology

TN5325N3-G-P002

ចំណែកផ្នែក: 145391

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 215mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

TP0606N3-G-P003

Microchip Technology

TP0606N3-G-P003

ចំណែកផ្នែក: 102649

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 320mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TP2510N8-G

ចំណែកផ្នែក: 81155

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 480mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TN0106N3-G

ចំណែកផ្នែក: 93893

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 350mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TP0604N3-G

ចំណែកផ្នែក: 57712

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 430mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VN3205N3-G

ចំណែកផ្នែក: 56360

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.2A (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VN4012L-G

ចំណែកផ្នែក: 47260

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 160mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 100mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VP2206N2

ចំណែកផ្នែក: 5360

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 750mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TP2540N3-G

ចំណែកផ្នែក: 52692

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 86mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

DN3545N3-G

ចំណែកផ្នែក: 104685

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 450V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 136mA, វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 0V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TP2640N3-G

ចំណែកផ្នែក: 45489

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TN0610N3-G

ចំណែកផ្នែក: 73267

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 3V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TP0620N3-G

ចំណែកផ្នែក: 52772

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 175mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VN2450N3-G

ចំណែកផ្នែក: 64862

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TP2635N3-G

ចំណែកផ្នែក: 47311

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 350V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VN0606L-G

ចំណែកផ្នែក: 62684

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 330mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VN2460N3-G

ចំណែកផ្នែក: 62683

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 160mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VN0808L-G

ចំណែកផ្នែក: 62599

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 300mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TN0606N3-G

ចំណែកផ្នែក: 93941

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 3V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

VP2450N3-G

ចំណែកផ្នែក: 46076

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

DN2540N5-G

ចំណែកផ្នែក: 53451

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA (Tj), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 0V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

185

«
1
2
3
4
5
6
»