ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

IXFK72N20

ចំណែកផ្នែក: 2206

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 72A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V,

IXFX30N50

ចំណែកផ្នែក: 2220

IXFE180N20

ចំណែកផ្នែក: 1995

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 158A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFM15N60

ចំណែកផ្នែក: 6303

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 7.5A, 10V,

IXFD40N30Q-72

ចំណែកផ្នែក: 2265

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V,

IXTM1316

ចំណែកផ្នែក: 2351

IXTH21N50Q

ចំណែកផ្នែក: 2247

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 21A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10.5A, 10V,

IXFX80N15Q

ចំណែកផ្នែក: 2236

IXFH32N48Q

ចំណែកផ្នែក: 2208

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 480V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 32A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 15A, 10V,

IXTM11P50

ចំណែកផ្នែក: 2327

IXFT40N30Q TR

ចំណែកផ្នែក: 6309

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 40A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 20A, 10V,

IXTM21N50L

ចំណែកផ្នែក: 2302

IXTM15N60

ចំណែកផ្នែក: 2333

IXFM11N80

ចំណែកផ្នែក: 2336

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 5.5A, 10V,

IXFN30N110P

ចំណែកផ្នែក: 1890

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 25A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 15A, 10V,

IXFD15N100-8X

ចំណែកផ្នែក: 2189

IXTM1630

ចំណែកផ្នែក: 2322

IXFJ15N100Q

ចំណែកផ្នែក: 2221

IXFH1837

ចំណែកផ្នែក: 2271

IXTY1R4N60P TRL

ចំណែកផ្នែក: 2308

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 700mA, 10V,

IXTM50N20

ចំណែកផ្នែក: 2338

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V,

IXTD4N80P-3J

ចំណែកផ្នែក: 2322

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.8A, 10V,

T-TD1R4N60P 11

ចំណែកផ្នែក: 2368

IXFN34N100

ចំណែកផ្នែក: 1652

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 34A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFM1766

ចំណែកផ្នែក: 2282

IXTM24N50L

ចំណែកផ្នែក: 2307

IXTK40P50P

ចំណែកផ្នែក: 4122

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 40A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 20A, 10V,

IXFN72N55Q2

ចំណែកផ្នែក: 1985

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 550V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 72A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTP76P10T

ចំណែកផ្នែក: 13460

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 76A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFT74N20Q

ចំណែកផ្នែក: 2228

IXFH14N100Q

ចំណែកផ្នែក: 2253

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 7A, 10V,

IXFB30N120Q2

ចំណែកផ្នែក: 1609

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A (Tc),

IXFD80N10Q-8XQ

ចំណែកផ្នែក: 2255

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V,

IXFN80N48

ចំណែកផ្នែក: 1727

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 480V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 80A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFM1627

ចំណែកផ្នែក: 2371

IXTM5N100

ចំណែកផ្នែក: 2291

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V,