ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

ផ្ទហ
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

VMO550-01F

ចំណែកផ្នែក: 517

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 590A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFH44N50P

ចំណែកផ្នែក: 7146

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 44A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 22A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTP180N10T

ចំណែកផ្នែក: 17444

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 25A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFN60N80P

ចំណែកផ្នែក: 2509

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 53A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFK210N30X3

ចំណែកផ្នែក: 2674

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 210A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 105A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTT16P60P

ចំណែកផ្នែក: 6399

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTX32P60P

ចំណែកផ្នែក: 4180

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 32A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 16A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFY36N20X3

ចំណែកផ្នែក: 2543

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 18A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFN360N10T

ចំណែកផ្នែក: 3333

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 360A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 180A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTK90N25L2

ចំណែកផ្នែក: 2694

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 90A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 45A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFN36N100

ចំណែកផ្នែក: 1318

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH20N65X

ចំណែកផ្នែក: 9458

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 650V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFK120N30P3

ចំណែកផ្នែក: 5371

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 60A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTY44N10T

ចំណែកផ្នែក: 38359

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 44A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 22A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTA36N30P

ចំណែកផ្នែក: 19177

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFH15N80Q

ចំណែកផ្នែក: 4400

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 7.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH16N20D2

ចំណែកផ្នែក: 7016

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 8A, 0V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFN82N60P

ចំណែកផ្នែក: 2430

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 72A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 41A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFA6N120P

ចំណែកផ្នែក: 9491

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFA4N100Q

ចំណែកផ្នែក: 9716

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH160N10T

ចំណែកផ្នែក: 16687

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 160A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFH340N075T2

ចំណែកផ្នែក: 7908

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 340A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 100A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFX140N30P

ចំណែកផ្នែក: 4144

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 140A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 70A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFP6N120P

ចំណែកផ្នែក: 9733

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTP6N50D2

ចំណែកផ្នែក: 11112

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3A, 0V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH16P60P

ចំណែកផ្នែក: 7202

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTA6N50D2

ចំណែកផ្នែក: 11009

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3A, 0V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH02N450HV

ចំណែកផ្នែក: 3525

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 4500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 625 Ohm @ 10mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFL38N100Q2

ចំណែកផ្នែក: 1585

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 29A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 19A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFP14N85X

ចំណែកផ្នែក: 13815

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 850V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTT30N60L2

ចំណែកផ្នែក: 4430

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTX60N50L2

ចំណែកផ្នែក: 2538

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 60A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFN340N07

ចំណែកផ្នែក: 1857

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 70V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 340A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 100A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTN22N100L

ចំណែកផ្នែក: 1747

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 11A, 20V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFX48N50Q

ចំណែកផ្នែក: 3745

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 48A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 24A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTA96P085T

ចំណែកផ្នែក: 13078

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 85V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 96A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 48A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

2148

«
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
»