ការចងចាំ

MR4A08BYS35R

MR4A08BYS35R

ចំណែកផ្នែក: 3120

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08AMYS35

MR2A08AMYS35

ចំណែកផ្នែក: 3372

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR25H40CDC

MR25H40CDC

ចំណែកផ្នែក: 5195

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR20H40CDF

MR20H40CDF

ចំណែកផ្នែក: 4347

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 50MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08ACYS35R

MR2A08ACYS35R

ចំណែកផ្នែក: 4312

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AYS35R

MR2A16AYS35R

ចំណែកផ្នែក: 4540

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08AYS35R

MR2A08AYS35R

ចំណែកផ្នែក: 4595

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16ACYS35R

MR2A16ACYS35R

ចំណែកផ្នែក: 4271

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR25H40CDF

MR25H40CDF

ចំណែកផ្នែក: 5178

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR256A08BSO35R

MR256A08BSO35R

ចំណែកផ្នែក: 5055

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR20H40CDFR

MR20H40CDFR

ចំណែកផ្នែក: 6410

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 50MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16AVMA35R

MR0A16AVMA35R

ចំណែកផ្នែក: 7143

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR20H40DF

MR20H40DF

ចំណែកផ្នែក: 7092

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 50MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A08BSO35

MR0A08BSO35

ចំណែកផ្នែក: 8800

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR20H40DFR

MR20H40DFR

ចំណែកផ្នែក: 7150

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 50MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0D08BMA45

MR0D08BMA45

ចំណែកផ្នែក: 6312

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16AVMA35

MR0A16AVMA35

ចំណែកផ្នែក: 6821

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16ACYS35

MR0A16ACYS35

ចំណែកផ្នែក: 5925

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16ACMA35

MR0A16ACMA35

ចំណែកផ្នែក: 5961

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16AMYS35R

MR0A16AMYS35R

ចំណែកផ្នែក: 5945

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16AMYS35

MR0A16AMYS35

ចំណែកផ្នែក: 5660

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR25H40CDCR

MR25H40CDCR

ចំណែកផ្នែក: 7730

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16AYS35

MR0A16AYS35

ចំណែកផ្នែក: 6355

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0D08BMA45R

MR0D08BMA45R

ចំណែកផ្នែក: 8875

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A08BCSO35R

MR0A08BCSO35R

ចំណែកផ្នែក: 3075

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR25H40CDFR

MR25H40CDFR

ចំណែកផ្នែក: 7694

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16ACMA35R

MR0A16ACMA35R

ចំណែកផ្នែក: 8325

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A08BCSO35

MR0A08BCSO35

ចំណែកផ្នែក: 3017

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR256A08BCSO35

MR256A08BCSO35

ចំណែកផ្នែក: 3064

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A08BYS35

MR0A08BYS35

ចំណែកផ្នែក: 6281

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR256A08BCSO35R

MR256A08BCSO35R

ចំណែកផ្នែក: 385

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16AMA35R

MR0A16AMA35R

ចំណែកផ្នែក: 8881

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A08BSO35R

MR0A08BSO35R

ចំណែកផ្នែក: 8910

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0DL08BMA45R

MR0DL08BMA45R

ចំណែកផ្នែក: 8487

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR256A08BSO35

MR256A08BSO35

ចំណែកផ្នែក: 8920

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR0A16AVYS35R

MR0A16AVYS35R

ចំណែកផ្នែក: 7108

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា