ការចងចាំ

MR4A08BCMA35

MR4A08BCMA35

ចំណែកផ្នែក: 2109

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A08BMA35

MR4A08BMA35

ចំណែកផ្នែក: 2272

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A16BCMA35R

MR4A16BCMA35R

ចំណែកផ្នែក: 2946

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A08BCYS35

MR4A08BCYS35

ចំណែកផ្នែក: 2131

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A16BCYS35

MR4A16BCYS35

ចំណែកផ្នែក: 2120

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A16BCMA35

MR4A16BCMA35

ចំណែកផ្នែក: 2128

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A16BMA35

MR4A16BMA35

ចំណែកផ្នែក: 2205

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A16BCYS35R

MR4A16BCYS35R

ចំណែកផ្នែក: 2969

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A16BMA35R

MR4A16BMA35R

ចំណែកផ្នែក: 3209

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A08BCMA35R

MR4A08BCMA35R

ចំណែកផ្នែក: 2941

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A08BMA35R

MR4A08BMA35R

ចំណែកផ្នែក: 3193

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A08BCYS35R

MR4A08BCYS35R

ចំណែកផ្នែក: 2936

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A16BYS35

MR4A16BYS35

ចំណែកផ្នែក: 2288

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR25H40MDF

MR25H40MDF

ចំណែកផ្នែក: 4036

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A08BYS35

MR4A08BYS35

ចំណែកផ្នែក: 2220

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AVYS35

MR2A16AVYS35

ចំណែកផ្នែក: 2698

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AVMA35

MR2A16AVMA35

ចំណែកផ្នែក: 2651

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16ACMA35

MR2A16ACMA35

ចំណែកផ្នែក: 3023

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16ACYS35

MR2A16ACYS35

ចំណែកផ្នែក: 3047

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AVMA35R

MR2A16AVMA35R

ចំណែកផ្នែក: 3824

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08ACYS35

MR2A08ACYS35

ចំណែកផ្នែក: 3049

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR4A16BYS35R

MR4A16BYS35R

ចំណែកផ្នែក: 3172

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08ACMA35

MR2A08ACMA35

ចំណែកផ្នែក: 3074

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08AYS35

MR2A08AYS35

ចំណែកផ្នែក: 3343

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR25H40MDFR

MR25H40MDFR

ចំណែកផ្នែក: 5891

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08AMYS35R

MR2A08AMYS35R

ចំណែកផ្នែក: 3635

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AMA35

MR2A16AMA35

ចំណែកផ្នែក: 3314

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AMYS35R

MR2A16AMYS35R

ចំណែកផ្នែក: 3625

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AMA35R

MR2A16AMA35R

ចំណែកផ្នែក: 4676

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AYS35

MR2A16AYS35

ចំណែកផ្នែក: 3300

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08AMA35R

MR2A08AMA35R

ចំណែកផ្នែក: 4722

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08ACMA35R

MR2A08ACMA35R

ចំណែកផ្នែក: 4344

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16ACMA35R

MR2A16ACMA35R

ចំណែកផ្នែក: 4318

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AMYS35

MR2A16AMYS35

ចំណែកផ្នែក: 3373

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A08AMA35

MR2A08AMA35

ចំណែកផ្នែក: 4378

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MR2A16AVYS35R

MR2A16AVYS35R

ចំណែកផ្នែក: 3774

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: MRAM (Magnetoresistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា