ការចងចាំ

CG8304AAT

ចំណែកផ្នែក: 1769

CG8311AA

ចំណែកផ្នែក: 825

CG8152AA

ចំណែកផ្នែក: 2170

IS29GL512S-11TFV01

ចំណែកផ្នែក: 7893

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

CG8267AA

ចំណែកផ្នែក: 389

CG8188AA

ចំណែកផ្នែក: 1506

CG8278AA

ចំណែកផ្នែក: 45059

CG8236AAT

ចំណែកផ្នែក: 2073

CG7880AAT

ចំណែកផ្នែក: 1571

S70GL02GS11FHI020

ចំណែកផ្នែក: 2866

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16),

CY7C1911KV18-250BZCT

ចំណែកផ្នែក: 3769

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, QDR II, ទំហំសតិ: 18Mb (2M x 9), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250MHz,

CY14V101NA-BA45XI

ចំណែកផ្នែក: 3356

CG8310AA

ចំណែកផ្នែក: 1531

IS29GL256S-10DHV02-TR

ចំណែកផ្នែក: 834

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

CG8190AMT

ចំណែកផ្នែក: 10006

FM28V100-TGTR

ចំណែកផ្នែក: 3999

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

CG8351AAT

ចំណែកផ្នែក: 537

CG8099AAT

ចំណែកផ្នែក: 2211

CY7C1372KV33-167AXIT

ចំណែកផ្នែក: 3481

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (1M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

CG8350AA

ចំណែកផ្នែក: 451

CG8717AAT

ចំណែកផ្នែក: 13858

CG8252AAT

ចំណែកផ្នែក: 262

CG8279AAT

ចំណែកផ្នែក: 31906

S25FL129P0XNFI001M

ចំណែកផ្នែក: 1238

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

S30MS512R25TFW000

ចំណែកផ្នែក: 8591

CG7911AM

ចំណែកផ្នែក: 777

S25FL128P0XNFI003M

ចំណែកផ្នែក: 1059

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3µs,

S25FL129P0XMFV010M

ចំណែកផ្នែក: 1186

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

CG8152AAT

ចំណែកផ្នែក: 710

S26KS512SDABHM030

ចំណែកផ្នែក: 3240

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

CG8190AM

ចំណែកផ្នែក: 9999

S30MS02GR25TFW010

ចំណែកផ្នែក: 8119

CG8188AAT

ចំណែកផ្នែក: 1495

CY14B104LA-ZS45XIT

ចំណែកផ្នែក: 3820

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

CG8276AAT

ចំណែកផ្នែក: 46258

S25FL128P0XNFI001M

ចំណែកផ្នែក: 1005

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3µs,