ការចងចាំ

CG8278AAT

ចំណែកផ្នែក: 49727

CG8351AA

ចំណែកផ្នែក: 455

CY15B104Q-LHXIT

ចំណែកផ្នែក: 3989

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

CG8606AA

ចំណែកផ្នែក: 2082

CG8267AAT

ចំណែកផ្នែក: 374

CY14B256KA-SP45XI

ចំណែកផ្នែក: 4058

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

CY14B101LA-SZ45XIT

ចំណែកផ្នែក: 3862

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

CG8303AA

ចំណែកផ្នែក: 1694

CG8016AMT

ចំណែកផ្នែក: 589

CG8275AAT

ចំណែកផ្នែក: 11064

S99-50055-02

ចំណែកផ្នែក: 1411

CY7C1381KV33-133AXIT

ចំណែកផ្នែក: 3410

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

MSP17LV164-E1-TH-001

ចំណែកផ្នែក: 2162

CG8014AA

ចំណែកផ្នែក: 2206

S30MS512R25TFW100

ចំណែកផ្នែក: 960

S30ML256P30TFI000

ចំណែកផ្នែក: 9233

S30MS512R25TFW010

ចំណែកផ្នែក: 8695

S25FL129P0XXEI909

ចំណែកផ្នែក: 2214

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

CG8248AAT

ចំណែកផ្នែក: 272

CY7C1313KV18-250BZCT

ចំណែកផ្នែក: 3830

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, QDR II, ទំហំសតិ: 18Mb (1M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250MHz,

CY14V101LA-BA45XI

ចំណែកផ្នែក: 4310

S26KS512SDGBHM030

ចំណែកផ្នែក: 3384

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

S25FL129P0XMFI000M

ចំណែកផ្នែក: 2116

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

S30ML02GP50TFI010

ចំណែកផ្នែក: 8039

IS29GL512S-11DHB02

ចំណែកផ្នែក: 851

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

CG8212AAT

ចំណែកផ្នែក: 54

CY7C1314KV18-250BZXCT

ចំណែកផ្នែក: 3749

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, QDR II, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250MHz,

CG8304AA

ចំណែកផ្នែក: 1803

CY7C1370KV33-200AXCT

ចំណែកផ្នែក: 3410

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz,

CG7796AA

ចំណែកផ្នែក: 1712

S99-50349

ចំណែកផ្នែក: 1445

CY7C1051H30-10BV1XE

ចំណែកផ្នែក: 3651

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 8Mb (512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

IS29GL01GS-11TFV01

ចំណែកផ្នែក: 7507

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

CG8716AA

ចំណែកផ្នែក: 2153

IS29GL01GS-11TFV01-TR

ចំណែកផ្នែក: 7476

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

S29GL512N11FFA023

ចំណែកផ្នែក: 3088

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 110ns,