ការចងចាំ

CY7C1382DV33-167BZI

ចំណែកផ្នែក: 3168

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (1M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

CY7C1320KV18-250BZCT

ចំណែកផ្នែក: 3197

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, DDR II, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250MHz,

CY7C1387D-167BZI

ចំណែកផ្នែក: 3120

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (1M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

CY7C1380KV33-167BZIT

ចំណែកផ្នែក: 2990

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

CY7C1315KV18-250BZIT

ចំណែកផ្នែក: 143

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, QDR II, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250MHz,

S99-50481

ចំណែកផ្នែក: 2556

CY62167EV18LL-55BVI

ចំណែកផ្នែក: 3043

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

CG7905AA

ចំណែកផ្នែក: 4505

CG8317AAT

ចំណែកផ្នែក: 1751

CG8314AA

ចំណែកផ្នែក: 1470

CG8019AA

ចំណែកផ្នែក: 2386

CG8105AA

ចំណែកផ្នែក: 2420

S30MS01GP25TFW000

ចំណែកផ្នែក: 842

S70GL02GS11FHA010

ចំណែកផ្នែក: 165

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16),

CG8350AAT

ចំណែកផ្នែក: 501

S30MS01GR25TFW010

ចំណែកផ្នែក: 8090

IS29GL256S-10DHB02-TR

ចំណែកផ្នែក: 7752

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

S70GL02GT11FHV010

ចំណែកផ្នែក: 3453

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

IS29GL128S-10DHV02-TR

ចំណែកផ្នែក: 774

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

CG8316AAT

ចំណែកផ្នែក: 1807

IS29GL128S-10DHV01-TR

ចំណែកផ្នែក: 7638

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

CG8273AA

ចំណែកផ្នែក: 448

IS29GL128S-10DHB01

ចំណែកផ្នែក: 7542

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

CG8245AA

ចំណែកផ្នែក: 2035

CY7C1061G30-10BV1XET

ចំណែកផ្នែក: 3920

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

CY14V104NA-BA45XIT

ចំណែកផ្នែក: 3530

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

CG8120AAT

ចំណែកផ្នែក: 1600

S30ML512P50TFI513

ចំណែកផ្នែក: 8529

CG7925AM

ចំណែកផ្នែក: 2102

S30ML02GP30TFI500

ចំណែកផ្នែក: 7947

S25FL128P0XMFI011S

ចំណែកផ្នែក: 987

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3µs,

CG8534AAT

ចំណែកផ្នែក: 2018

CG8244AA

ចំណែកផ្នែក: 169

S70GL02GT12FHIV20

ចំណែកផ្នែក: 143

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY62167G18-55BVXI

ចំណែកផ្នែក: 4054

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

S30ML02GP50TFI013

ចំណែកផ្នែក: 7980