ការចងចាំ

CY7C1383KV33-133AXI

ចំណែកផ្នែក: 2812

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (1M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

S99PL127J0250 P

ចំណែកផ្នែក: 6475

S70PL254J00BAWA20

ចំណែកផ្នែក: 6420

CY14B104NA-ZS25XIT

ចំណែកផ្នែក: 2956

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

S29WS128N0LBFW013

ចំណែកផ្នែក: 10011

S70GL02GS12FHB020

ចំណែកផ្នែក: 179

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16),

CY7C1321KV18-250BZC

ចំណែកផ្នែក: 1624

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, DDR II, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250MHz,

S99PL064J0090

ចំណែកផ្នែក: 6234

CY7C1061G-10BVJXIT

ចំណែកផ្នែក: 2972

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

CY14V101LA-BA25XI

ចំណែកផ្នែក: 3034

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

S99GL512M0040

ចំណែកផ្នែក: 5123

S70WS512N00BAWAA2

ចំណែកផ្នែក: 382

CY14B104M-ZSP45XI

ចំណែកផ្នែក: 2455

S71PL032J40BAW0K0

ចំណែកផ្នែក: 5842

CY7C1370KV33-167AXC

ចំណែកផ្នែក: 2864

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

S71PL064JA0BAW0Z0A

ចំណែកផ្នែក: 4640

S70WS512N00BAWAA0

ចំណែកផ្នែក: 361

CY7C1373KV33-133AXI

ចំណែកផ្នែក: 2805

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (1M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

CY7C1061GN30-10ZXIT

ចំណែកផ្នែក: 2935

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

CY7C1061GE18-15ZXI

ចំណែកផ្នែក: 2368

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

CY7C1061G18-15BVXIT

ចំណែកផ្នែក: 2921

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

S99PDL128G

ចំណែកផ្នែក: 771

CY7C1381KV33-100AXC

ចំណែកផ្នែក: 2936

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

S29WS128N0LBAW013

ចំណែកផ្នែក: 9986

CY14B101KA-SP45XI

ចំណែកផ្នែក: 2973

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

CY7C1061G18-15ZXI

ចំណែកផ្នែក: 2412

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

CY7C1392KV18-250BZXC

ចំណែកផ្នែក: 2637

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, DDR II, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250MHz,

CY14B104NA-ZS20XIT

ចំណែកផ្នែក: 2926

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 20ns,

S99PL127J0100

ចំណែកផ្នែក: 6349

S70GL02GT11FHA010

ចំណែកផ្នែក: 2970

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY7C1061G30-10ZXIT

ចំណែកផ្នែក: 2967

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

S71PL032J40BAW070B

ចំណែកផ្នែក: 5800

S99PL032J70BFI120

ចំណែកផ្នែក: 5948

CY7C1061GN18-15ZSXI

ចំណែកផ្នែក: 2642

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

S29PL064J60BAI120

ចំណែកផ្នែក: 5675

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64M (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

CY7C1059DV33-12ZSXQ

ចំណែកផ្នែក: 75

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 12ns,