ការចងចាំ

CY14B104LA-ZS20XIT

ចំណែកផ្នែក: 2893

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 20ns,

S29PL127J60TAI130

ចំណែកផ្នែក: 5771

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128M (8M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

S29WS256N0SBFW012

ចំណែកផ្នែក: 226

S99-50031

ចំណែកផ្នែក: 538

CY7C1061GE-10BV1XI

ចំណែកផ្នែក: 2768

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

S70PL254J00BAWA30

ចំណែកផ្នែក: 6482

S29WS128N0PBAW013

ចំណែកផ្នែក: 9569

CY7C1061G30-10BVXIT

ចំណែកផ្នែក: 2937

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

CY7C1361C-100AXE

ចំណែកផ្នែក: 2679

CY14B104NA-BA25I

ចំណែកផ្នែក: 122

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

S98WS768P0GFW0100B

ចំណែកផ្នែក: 473

S99FL032A0LMFI001

ចំណែកផ្នែក: 639

S71PL032J08BAW0B0C

ចំណែកផ្នែក: 5803

S99PL127J0160

ចំណែកផ្នែក: 6348

CY7C1314KV18-300BZXC

ចំណែកផ្នែក: 2771

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, QDR II, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 300MHz,

CY14B104LA-ZS20XI

ចំណែកផ្នែក: 2728

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 20ns,

S99AL032DU

ចំណែកផ្នែក: 597

CY7C1370SV25-200AXC

ចំណែកផ្នែក: 2434

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 18Mb (512K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

CY7C1069G-10ZSXI

ចំណែកផ្នែក: 2733

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

CY7C1061G-10ZSXIT

ចំណែកផ្នែក: 2969

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

CY7C1061G-10BVXI

ចំណែកផ្នែក: 2749

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

CY7C1061GE18-15BVJXIT

ចំណែកផ្នែក: 2970

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

CY7C1069G30-10BVXIT

ចំណែកផ្នែក: 2915

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

S4012001270B0C010

ចំណែកផ្នែក: 236

VS2FL008A0LMAI001

ចំណែកផ្នែក: 880

CY14B104NA-ZSP45XI

ចំណែកផ្នែក: 2662

CY7C1370KV33-167BZXC

ចំណែកផ្នែក: 3177

S29WS128N0PBFW012

ចំណែកផ្នែក: 120

S71PL064JA0BFW0Z0

ចំណែកផ្នែក: 5909

S99PL127J0040

ចំណែកផ្នែក: 6318

S70PL254J00BFWA20G

ចំណែកផ្នែក: 6542

S29PL032J60BFI120A

ចំណែកផ្នែក: 6094

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

CY7C1061GE-10BVXIT

ចំណែកផ្នែក: 2929

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

SX-3130-1658

ចំណែកផ្នែក: 5615

CY7C1061GE18-15BV1XI

ចំណែកផ្នែក: 2809

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

CY7C1061GE-10ZXIT

ចំណែកផ្នែក: 2944

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,