PMIC - អ្នកបើកបរទ្វារ

2SC0106T2A1-12

ចំណែកផ្នែក: 2643

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 14.5V ~ 15.5V,

2SB315B-FF800R17KP4_B2

ចំណែកផ្នែក: 3000

2SB315B-FF800R17KF6

ចំណែកផ្នែក: 2971

2SB315B-FF800R12KE3

ចំណែកផ្នែក: 2979

2SB315B-FF1200R17KE3_B2

ចំណែកផ្នែក: 1430

2SB315B-DIM800DDM12-A000

ចំណែកផ្នែក: 1439

2SB315B-CM800DZ-34H

ចំណែកផ្នែក: 1404

2SB315B-5SND0800M170100

ចំណែកផ្នែក: 1448

2SB315B-CM1200DC-34N

ចំណែកផ្នែក: 1362

2SB315B-2MBI800U4G-120

ចំណែកផ្នែក: 1375

2SB315B-2MBI800VT-170E

ចំណែកផ្នែក: 1364

2SB315B-2MBI800U4G-170

ចំណែកផ្នែក: 1353

2SB315A-FF800R17KP4_B2

ចំណែកផ្នែក: 1389

2SB315B-2MBI1200U4G-170

ចំណែកផ្នែក: 1395

2SB315A-FF800R17KF6

ចំណែកផ្នែក: 1355

2SB315A-FF1200R17KE3_B2

ចំណែកផ្នែក: 1311

2SB315A-FF800R12KE3

ចំណែកផ្នែក: 1998

2SB315A-CM1200DC-34N

ចំណែកផ្នែក: 9227

2SB315A-DIM800DDM12-A000

ចំណែកផ្នែក: 1293

2SB315A-CM800DZ-34H

ចំណែកផ្នែក: 1365

2SB315A-2MBI800VT-170E

ចំណែកផ្នែក: 1320

2SB315A-5SND0800M170100

ចំណែកផ្នែក: 1265

2SB315A-2MBI800U4G-170

ចំណែកផ្នែក: 1310

2SB315A-2MBI800U4G-120

ចំណែកផ្នែក: 1320

2SB315A-2MBI1200U4G-170

ចំណែកផ្នែក: 1265

2SD315AI-25

ចំណែកផ្នែក: 1044

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 15V,

2ED020I12-F

ចំណែកផ្នែក: 5432

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 0V ~ 18V,

2ED020I12FAXUMA2

ចំណែកផ្នែក: 11619

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 13V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,

2ED020I12F2XUMA1

ចំណែកផ្នែក: 19079

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 13V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,

2EDS8265HXUMA1

ចំណែកផ្នែក: 3853

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 3V ~ 3.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 2V,

2EDS8165HXUMA1

ចំណែកផ្នែក: 124

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 3V ~ 3.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 2V,

2EDF7275KXUMA1

ចំណែកផ្នែក: 3035

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 3V ~ 3.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 2V,

2EDF7235KXUMA1

ចំណែកផ្នែក: 3053

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 3V ~ 3.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 2V,

2ED020I12FIXUMA1

ចំណែកផ្នែក: 36222

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 14V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

2EDF7275FXUMA1

ចំណែកផ្នែក: 2119

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 3V ~ 3.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 2V,

2ED020I06FIXUMA1

ចំណែកផ្នែក: 38415

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 14V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,