PMIC - អ្នកបើកបរទ្វារ

BUK218-50DC,118

ចំណែកផ្នែក: 9681

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 5.5V ~ 35V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 3V,

BD16952EFV-ME2

ចំណែកផ្នែក: 25865

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 3V ~ 5.5V,

BD2270HFV-TR

ចំណែកផ្នែក: 106120

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 2.7V ~ 5.5V,

BD2270HFV-LBTR

ចំណែកផ្នែក: 122178

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 2.7V ~ 5.5V,

BS2100F-E2

ចំណែកផ្នែក: 146958

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1V, 2.6V,

BS2103F-E2

ចំណែកផ្នែក: 158597

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1V, 2.6V,

BS2101F-E2

ចំណែកផ្នែក: 134

MAX5063BASA

ចំណែកផ្នែក: 65

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 12.6V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

MAX5063AASA-T

ចំណែកផ្នែក: 9115

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 12.6V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

MAX5062CASA-T

ចំណែកផ្នែក: 477

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 12.6V,

MAX5062AASA-T

ចំណែកផ្នែក: 338

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 12.6V,

MAX5055AASA-T

ចំណែកផ្នែក: 308

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4V ~ 15V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

IXDF402SI

ចំណែកផ្នែក: 2317

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 35V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXA531L4T/R

ចំណែកផ្នែក: 2393

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: 3-Phase, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 6, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 35V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

IXDE509D1

ចំណែកផ្នែក: 2411

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 30V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

IXDD408YI

ចំណែកផ្នែក: 1999

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 25V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

IXDE509D1T/R

ចំណែកផ្នែក: 2453

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 30V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

LM5101CSDX

ចំណែកផ្នែក: 9875

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 9V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 2.3V, -,

LM5100CSD/NOPB

ចំណែកផ្នែក: 2319

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 9V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 2.3V, -,

LM5109BSDX

ចំណែកផ្នែក: 8994

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5109BSD

ចំណែកផ្នែក: 137

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5111-3MY

ចំណែកផ្នែក: 120

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 3.5V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5109BMAX

ចំណែកផ្នែក: 145

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5107SDX

ចំណែកផ្នែក: 9980

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5104SD

ចំណែកផ្នែក: 39

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 9V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

ISL6612IR-T

ចំណែកផ្នែក: 2298

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10.8V ~ 13.2V,

ISL6612BEIB-T

ចំណែកផ្នែក: 2232

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 7V ~ 13.2V,

HIP2101IR4T

ចំណែកផ្នែក: 2156

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 9V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

HIP2123FRTBZ-T

ចំណែកផ្នែក: 9669

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,

MAQ4124YME-TRVAO

ចំណែកផ្នែក: 266

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

MCP1416T-E/MC

ចំណែកផ្នែក: 294

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

MIC4480YME-TR

ចំណែកផ្នែក: 69750

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 32V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

VLA500-01

ចំណែកផ្នែក: 1733

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 14.2V ~ 15.8V,

M57962CL-01

ចំណែកផ្នែក: 4646

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 14V ~ 15V,

IR11671ASPBF

ចំណែកផ្នែក: 243

FAN7171MX

ចំណែកផ្នែក: 2806

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,