Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

APTGT600DU60G
Microsemi Corporation

APTGT600DU60G

ចំណែកផ្នែក: 478

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700A, ថាមពល - អតិបរមា: 2300W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 600A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT75SK120TG

ចំណែកផ្នែក: 1741

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT600SK60G
Microsemi Corporation

APTGT600SK60G

ចំណែកផ្នែក: 634

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700A, ថាមពល - អតិបរមា: 2300W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 600A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT400U120D4G
Microsemi Corporation

APTGT400U120D4G

ចំណែកផ្នែក: 686

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600A, ថាមពល - អតិបរមា: 2250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 400A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation

APTGT150DU120G

ចំណែកផ្នែក: 806

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ100A65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ100A65T1G

ចំណែកផ្នែក: 1211

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 350W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 100A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT300DA60G
Microsemi Corporation

APTGT300DA60G

ចំណែកផ្នែក: 1016

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1150W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ200HR120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200HR120G

ចំណែកផ្នែក: 726

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300A, ថាមពល - អតិបរមា: 1000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 160A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75H60T1G

ចំណែកផ្នែក: 1184

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT300DU170G
Microsemi Corporation

APTGT300DU170G

ចំណែកផ្នែក: 302

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1660W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120G

ចំណែកផ្នែក: 1025

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL475A120D3G
Microsemi Corporation

APTGL475A120D3G

ចំណែកផ្នែក: 507

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 610A, ថាមពល - អតិបរមា: 2080W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 400A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT150A60T1G

ចំណែកផ្នែក: 1880

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 225A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation

APTGTQ150TA65TPG

ចំណែកផ្នែក: 285

ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 365W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75TDU120PG
Microsemi Corporation

APTGT75TDU120PG

ចំណែកផ្នែក: 685

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Triple, Dual - Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 350W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ50H65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T3G

ចំណែកផ្នែក: 285

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 175W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ40H120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ40H120T1G

ចំណែកផ្នែក: 1701

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT300A60G
Microsemi Corporation

APTGT300A60G

ចំណែកផ្នែក: 824

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1150W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA120T1G

ចំណែកផ្នែក: 2132

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40HR120CT3G

ចំណែកផ្នែក: 1678

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT75H60T2G

ចំណែកផ្នែក: 1713

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200A170D3G

ចំណែកផ្នែក: 586

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 200A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT300DH60G
Microsemi Corporation

APTGT300DH60G

ចំណែកផ្នែក: 698

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1150W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T1G

ចំណែកផ្នែក: 2483

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 32A, ថាមពល - អតិបរមា: 62W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 20A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150H120G
Microsemi Corporation

APTGT150H120G

ចំណែកផ្នែក: 519

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DA120TG

ចំណែកផ្នែក: 1737

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120T1G

ចំណែកផ្នែក: 1412

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170T1G

ចំណែកផ្នែក: 2036

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 210W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 30A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL700U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL700U120D4G

ចំណែកផ្នែក: 608

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 910A, ថាមពល - អតិបរមា: 3000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 600A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT400DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA60D3G

ចំណែកផ្នែក: 1098

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 400A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50SK170TG
Microsemi Corporation

APTGT50SK170TG

ចំណែកផ្នែក: 1637

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H170T3G

ចំណែកផ្នែក: 1338

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 210W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 30A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation

APTGT30TL601G

ចំណែកផ្នែក: 2151

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 90W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT25X120T3G
Microsemi Corporation

APTGT25X120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1534

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ150H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ150H120G

ចំណែកផ្នែក: 301

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 250A, ថាមពល - អតិបរមា: 750W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT50SK120TG

ចំណែកផ្នែក: 1788

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា