Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

ចំណែកផ្នែក: 1378

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

ចំណែកផ្នែក: 1989

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

ចំណែកផ្នែក: 2465

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 170W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 25A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

ចំណែកផ្នែក: 620

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

ចំណែកផ្នែក: 595

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

ចំណែកផ្នែក: 549

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

ចំណែកផ្នែក: 602

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 75A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

ចំណែកផ្នែក: 625

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

ចំណែកផ្នែក: 542

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 280W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

ចំណែកផ្នែក: 1816

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 128A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 75A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL90DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

ចំណែកផ្នែក: 541

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 75A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

ចំណែកផ្នែក: 556

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL60DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

ចំណែកផ្នែក: 534

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 280W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

ចំណែកផ្នែក: 607

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

ចំណែកផ្នែក: 579

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

ចំណែកផ្នែក: 542

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 130A, ថាមពល - អតិបរមា: 780W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

ចំណែកផ្នែក: 560

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 230A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 200A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

ចំណែកផ្នែក: 5334

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

ចំណែកផ្នែក: 574

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APT70GR120J
Microsemi Corporation

APT70GR120J

ចំណែកផ្នែក: 2416

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 112A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 70A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GR120JD30
Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

ចំណែកផ្នែក: 2286

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 84A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APT200GN60J
Microsemi Corporation

APT200GN60J

ចំណែកផ្នែក: 2197

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 283A, ថាមពល - អតិបរមា: 682W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 200A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

ចំណែកផ្នែក: 578

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

ចំណែកផ្នែក: 3071

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

ចំណែកផ្នែក: 594

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

ចំណែកផ្នែក: 580

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 210A, ថាមពល - អតិបរមា: 1041W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF100A1202G
Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

ចំណែកផ្នែក: 540

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 135A, ថាមពល - អតិបរមា: 568W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

ចំណែកផ្នែក: 546

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

ចំណែកផ្នែក: 581

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 100A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

ចំណែកផ្នែក: 600

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 210A, ថាមពល - អតិបរមា: 961W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

ចំណែកផ្នែក: 546

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

ចំណែកផ្នែក: 585

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

ចំណែកផ្នែក: 3077

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 30A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTCV60TLM99T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

ចំណែកផ្នែក: 609

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter - IGBT, FET, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 90W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

ចំណែកផ្នែក: 524

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter - IGBT, FET, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 280W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APT150GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

ចំណែកផ្នែក: 1322

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 215A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា