Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

APTGF360U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF360U60D4G

ចំណែកផ្នែក: 479

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 450A, ថាមពល - អតិបរមា: 1560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 360A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation

APTGF350DU60G

ចំណែកផ្នែក: 449

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1562W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 360A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF350SK60G
Microsemi Corporation

APTGF350SK60G

ចំណែកផ្នែក: 437

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1562W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 360A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF350A60G
Microsemi Corporation

APTGF350A60G

ចំណែកផ្នែក: 508

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1562W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 360A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF350DA60G
Microsemi Corporation

APTGF350DA60G

ចំណែកផ្នែក: 424

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1562W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 360A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF330SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330SK60D3G

ចំណែកផ្នែក: 514

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 460A, ថាមពល - អតិបរមា: 1400W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 400A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30X60T3G

ចំណែកផ្នែក: 504

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 30A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330A60D3G

ចំណែកផ្នែក: 444

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 520A, ថាមពល - អតិបរមា: 1560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 400A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T1G

ចំណែកផ្នែក: 469

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 30A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T3G

ចំណែកផ្នែក: 491

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 30A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation

APTGF300U120DG

ចំណែកផ្នែក: 440

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1780W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30A60T1G

ចំណែកផ្នែក: 3064

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 30A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF300SK120G
Microsemi Corporation

APTGF300SK120G

ចំណែកផ្នែក: 426

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1780W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300SK120D3G

ចំណែកផ្នែក: 497

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 420A, ថាមពល - អតិបរមា: 2100W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF300DU120G
Microsemi Corporation

APTGF300DU120G

ចំណែកផ្នែក: 448

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1780W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation

APTGF300DA120G

ចំណែកផ្នែក: 514

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1780W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF300A120G
Microsemi Corporation

APTGF300A120G

ចំណែកផ្នែក: 339

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1780W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300DA120D3G

ចំណែកផ្នែក: 492

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 420A, ថាមពល - អតិបរមា: 2100W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300A120D3G

ចំណែកផ្នែក: 3070

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 420A, ថាមពល - អតិបរមា: 2100W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF25X120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25X120T3G

ចំណែកផ្នែក: 420

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T3G

ចំណែកផ្នែក: 481

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T1G

ចំណែកផ្នែក: 430

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF25A120T1G

ចំណែកផ្នែក: 483

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF25DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25DDA120T3G

ចំណែកផ្នែក: 415

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF250DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250DA60D3G

ចំណែកផ្នែក: 450

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF250SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250SK60D3G

ចំណែកផ្នែក: 511

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF250A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250A60D3G

ចំណែកផ្នែក: 427

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 300A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF200U120DG
Microsemi Corporation

APTGF200U120DG

ចំណែកផ្នែក: 461

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 275A, ថាមពល - អតិបរមា: 1136W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 200A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200SK120D3G

ចំណែកផ្នែក: 439

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300A, ថាមពល - អតិបរមា: 1400W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 200A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF200DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200DA120D3G

ចំណែកផ្នែក: 440

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300A, ថាមពល - អតិបរមា: 1400W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 200A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF180SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF180SK60TG

ចំណែកផ្នែក: 434

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 180A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF200A120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200A120D3G

ចំណែកផ្នែក: 506

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300A, ថាមពល - អតិបរមា: 1400W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 200A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF180H60G
Microsemi Corporation

APTGF180H60G

ចំណែកផ្នែក: 481

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 180A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF180DU60TG
Microsemi Corporation

APTGF180DU60TG

ចំណែកផ្នែក: 433

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 180A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation

APTGF180DH60G

ចំណែកផ្នែក: 421

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 180A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF180DA60TG
Microsemi Corporation

APTGF180DA60TG

ចំណែកផ្នែក: 482

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 180A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា