ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអុបទិក - ម៉ាស៊ីនព្រីនធឺរទ័រ - ប្រភេ

OPB380N51

ចំណែកផ្នែក: 6021

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB829D

ចំណែកផ្នែក: 6053

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB880T51

ចំណែកផ្នែក: 5976

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB820

ចំណែកផ្នែក: 28425

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.080" (2.03mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB390L55

ចំណែកផ្នែក: 5968

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB875L11

ចំណែកផ្នែក: 6053

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB812W55

ចំណែកផ្នែក: 6039

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.375" (9.53mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB860P11

ចំណែកផ្នែក: 6040

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB882T55Z

ចំណែកផ្នែក: 20689

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB890P51

ចំណែកផ្នែក: 6093

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB831L51

ចំណែកផ្នែក: 6016

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPBA303

ចំណែកផ្នែក: 6032

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.2" (5.08mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Open Collector, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA,

OPB819

ចំណែកផ្នែក: 5979

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 1.260" (32mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB860P55

ចំណែកផ្នែក: 6039

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB821

ចំណែកផ្នែក: 6099

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.080" (2.03mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB875L55

ចំណែកផ្នែក: 5995

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB835L55

ចំណែកផ្នែក: 9614

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB380T11

ចំណែកផ្នែក: 6006

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

GP1L53V

ចំណែកផ្នែក: 6051

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Photodarlington, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

GP1S73P

ចំណែកផ្នែក: 6115

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

GP1S561

ចំណែកផ្នែក: 6031

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

GP1S59J0000F

ចំណែកផ្នែក: 9615

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.165" (4.2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

PM-R24-C3

ចំណែកផ្នែក: 5945

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

PM-R44-C3

ចំណែកផ្នែក: 2791

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

PM-Y64P

ចំណែកផ្នែក: 5974

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

WF2-95B410

ចំណែកផ្នែក: 62

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Optical Flag, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: PNP/NPN,

WF5-40B416

ចំណែកផ្នែក: 36

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Optical Flag, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: PNP/NPN,

WF30-40B410

ចំណែកផ្នែក: 47

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 1.181" (30mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Optical Flag, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: PNP/NPN,

HOA0825-001

ចំណែកផ្នែក: 11235

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.165" (4.2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA0865-P51

ចំណែកផ្នែក: 35924

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

H21B2

ចំណែកផ្នែក: 6015

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Photodarlington, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

QVE00039

ចំណែកផ្នែក: 6086

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.095" (2.41mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

MOC70P3_F132

ចំណែកផ្នែក: 9622

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.200" (5.08mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

RPI-243

ចំណែកផ្នែក: 46650

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

CNA1012K

ចំណែកផ្នែក: 6050

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

LTH-306-11

ចំណែកផ្នែក: 5977