ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអុបទិក - ម៉ាស៊ីនព្រីនធឺរទ័រ - ប្រភេ

RPI-0129

ចំណែកផ្នែក: 5950

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.047" (1.2mm), ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX913P-R 1M

ចំណែកផ្នែក: 6102

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: PNP - Open Collector,

EE-SX911-R 3M

ចំណែកផ្នែក: 5954

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: NPN - Open Collector,

LTH-306-49

ចំណែកផ្នែក: 9632

OPB871P55TXV

ចំណែកផ្នែក: 284

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB920CZ

ចំណែកផ្នែក: 6045

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Totem Pole, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 20mA,

OPB822SD

ចំណែកផ្នែក: 17808

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.090" (2.29mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: 2 NPN, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB891P51

ចំណែកផ្នែក: 9636

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB202

ចំណែកផ្នែក: 5993

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.110" (2.79mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB380N55

ចំណែកផ្នែក: 6032

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB872N55TXV

ចំណែកផ្នែក: 348

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB891N55Z

ចំណែកផ្នែក: 9648

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB870T51TXV

ចំណែកផ្នែក: 342

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB847TXV

ចំណែកផ្នែក: 356

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.100" (2.54mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB892N55Z

ចំណែកផ្នែក: 6062

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA0865-N55

ចំណែកផ្នែក: 23542

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA0890-L51

ចំណែកផ្នែក: 9241

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA0870-T55

ចំណែកផ្នែក: 6073

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA0875-T51

ចំណែកផ្នែក: 10253

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA0860-T55

ចំណែកផ្នែក: 13693

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA0880-L55

ចំណែកផ្នែក: 9727

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA1873-011

ចំណែកផ្នែក: 18541

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.100" (2.54mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

CNZ1120

ចំណែកផ្នែក: 6035

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.394" (10mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

GP1S74PJ000F

ចំណែកផ្នែក: 5965

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

GP1S52V

ចំណែកផ្នែក: 6012

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

EE-SM3B

ចំណែកផ្នែក: 6070

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Photodarlington, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 15mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

EE-SH3-DS

ចំណែកផ្នែក: 15812

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.134" (3.4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1108-1

ចំណែកផ្នែក: 6071

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

PM-T64W

ចំណែកផ្នែក: 3621

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

PM-R64

ចំណែកផ្នែក: 3588

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

QVE00033

ចំណែកផ្នែក: 9678

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

QVB21314

ចំណែកផ្នែក: 6109

SFH 9500-Z

ចំណែកផ្នែក: 6073

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.205" (5.2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 60mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

WF5T-B4210

ចំណែកផ្នែក: 45

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Optical Flag, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: PNP/NPN,

WF120-95B416

ចំណែកផ្នែក: 106

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 4.724" (120mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Optical Flag, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: PNP/NPN,

WF30-40B416

ចំណែកផ្នែក: 25

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 1.181" (30mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Optical Flag, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: PNP/NPN,