ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

STS9D8NH3LL

ចំណែកផ្នែក: 104832

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, 9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

STS4C3F60L

ចំណែកផ្នែក: 2668

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

STC6NF30V

ចំណែកផ្នែក: 2911

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 600mV @ 250µA,

NTLJD3181PZTAG

ចំណែកផ្នែក: 2807

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

FDY4000CZ

ចំណែកផ្នែក: 130404

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 600mA, 350mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDG6318P

ចំណែកផ្នែក: 123017

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ECH8667-TL-HX

ចំណែកផ្នែក: 2888

EFC4618R-P-TR

ចំណែកផ្នែក: 2908

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ECH8653-S-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 2924

MCH6603-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 2889

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 140mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

FDMS9620S

ចំណែកផ្នែក: 127765

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A, 10A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

EMH2417R-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 156902

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.3V @ 1mA,

FDW2511NZ

ចំណែកផ្នែក: 2697

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

NDS9947

ចំណែកផ្នែក: 2668

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

TPCP8401(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 3345

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 100µA,

GWM220-004P3-SL

ចំណែកផ្នែក: 2796

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180A, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

SI6933DQ-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2879

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

SI4310BDY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2851

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A, 9.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SI6544BDQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2882

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.7A, 3.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SI4965DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2893

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 450mV @ 250µA (Min),

SI4941EDY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2795

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.8V @ 250µA,

SI7904DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2820

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 935µA,

SI4942DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2829

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SI4622DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2830

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

SI5915BDC-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2830

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

IRF9953TR

ចំណែកផ្នែក: 2719

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

IRF7313PBF

ចំណែកផ្នែក: 69767

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

IRF5850TR

ចំណែកផ្នែក: 2705

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

IRF7752GTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2826

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

IRF7503TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 185602

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

IRF7756

ចំណែកផ្នែក: 2661

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

DMN5L06VA-7

ចំណែកផ្នែក: 2754

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 280mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

DMN5L06DW-7

ចំណែកផ្នែក: 3271

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 280mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

PMWD15UN,518

ចំណែកផ្នែក: 2710

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 700mV @ 1mA,

XP0487800L

ចំណែកផ្នែក: 3315

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 1µA,

UP0487800L

ចំណែកផ្នែក: 2703

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 1µA,