ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

IRF9952

ចំណែកផ្នែក: 2678

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF7105PBF

ចំណែកផ្នែក: 95108

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF7311TR

ចំណែកផ្នែក: 3313

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 700mV @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF6802SDTR1PBF

ចំណែកផ្នែក: 2905

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 35µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF6702M2DTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2830

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.35V @ 25µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF9362PBF

ចំណែកផ្នែក: 2823

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 25µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF7316GTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2626

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF7555TR

ចំណែកផ្នែក: 2893

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF5810

ចំណែកផ្នែក: 2637

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRFH7911TR2PBF

ចំណែកផ្នែក: 2817

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 28A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.35V @ 25µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FDC6036P_F077

ចំណែកផ្នែក: 2788

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FDS6812A

ចំណែកផ្នែក: 2711

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FDG6302P

ចំណែកផ្នែក: 2666

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 140mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NTQD4154ZR2

ចំណែកផ្នែក: 2660

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NTTD1P02R2

ចំណែកផ្នែក: 2729

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.45A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.4V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NTJD4105CT2

ចំណែកផ្នែក: 2725

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 630mA, 775mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FW813-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 2907

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MMDF1N05ER2

ចំណែកផ្នែក: 2640

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NTJD2152PT4G

ចំណែកផ្នែក: 2775

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 775mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NTLJD3119CTAG

ចំណែកផ្នែក: 2878

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.6A, 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NTZD3152PT5G

ចំណែកផ្នែក: 2734

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 430mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Powerex Inc.

QJD1210SA2

ចំណែកផ្នែក: 2896

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.6V @ 34mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMC3036LSD-13

ចំណែកផ្នែក: 2792

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ZXMN3A04DN8TC

ចំណែកផ្នែក: 2746

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMN32D2LV-7

ចំណែកផ្នែក: 141799

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 400mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ZVN4206NTC

ចំណែកផ្នែក: 2706

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SI5975DC-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2864

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 450mV @ 1mA (Min),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SI6973DQ-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2882

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 450mV @ 250µA (Min),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SI1988DH-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2796

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SIZ900DT-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 87000

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 24A, 28A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SI7958DP-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 3297

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា