ការចងចាំ

47L16T-I/ST

ចំណែកផ្នែក: 90899

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16T-I/ST

ចំណែកផ្នែក: 90900

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04-E/ST

ចំណែកផ្នែក: 90449

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16-E/SN

ចំណែកផ្នែក: 86198

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16-I/SN

ចំណែកផ្នែក: 92740

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L16-I/SN

ចំណែកផ្នែក: 92700

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04T-E/ST

ចំណែកផ្នែក: 95895

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04T-E/ST

ចំណែកផ្នែក: 95912

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04-E/ST

ចំណែកផ្នែក: 90424

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16T-I/SN

ចំណែកផ្នែក: 97229

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L16T-I/SN

ចំណែកផ្នែក: 97258

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04-E/SN

ចំណែកផ្នែក: 99021

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04-E/SN

ចំណែកផ្នែក: 99044

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04-I/ST

ចំណែកផ្នែក: 98964

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04-I/ST

ចំណែកផ្នែក: 99046

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04T-E/SN

ចំណែកផ្នែក: 103018

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04T-E/SN

ចំណែកផ្នែក: 102934

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04T-I/ST

ចំណែកផ្នែក: 103012

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04T-I/ST

ចំណែកផ្នែក: 102947

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04-I/SN

ចំណែកផ្នែក: 107694

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04-I/SN

ចំណែកផ្នែក: 107766

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04T-I/SN

ចំណែកផ្នែក: 113010

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04T-I/SN

ចំណែកផ្នែក: 113000

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

5962-8687505XA

ចំណែកផ្នែក: 145

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 8K (1K x 8),

5962-8855202XA

ចំណែកផ្នែក: 2716

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

5962-3829407MXA

ចំណែកផ្នែក: 3198

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8),

5962-8855204XA

ចំណែកផ្នែក: 3488

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

568.005.011

ចំណែកផ្នែក: 5433

568.262.011

ចំណែកផ្នែក: 5450

520966231496

ចំណែកផ្នែក: 4576

520966231136

ចំណែកផ្នែក: 5319

577578-003-00

ចំណែកផ្នែក: 1432

550115-001-00

ចំណែកផ្នែក: 681

553395-001-00

ចំណែកផ្នែក: 549

51-30259Z02-A

ចំណែកផ្នែក: 7255

51-32598Z01-A

ចំណែកផ្នែក: 7264