ការចងចាំ

47C16-I/S16K

ចំណែកផ្នែក: 1811

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04-I/WF16K

ចំណែកផ្នែក: 1182

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16-I/W16K

ចំណែកផ្នែក: 1851

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04-I/W16K

ចំណែកផ្នែក: 1817

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04-I/S16K

ចំណែកផ្នែក: 1806

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04-I/WF16K

ចំណែកផ្នែក: 6022

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16-E/P

ចំណែកផ្នែក: 69144

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L16-E/P

ចំណែកផ្នែក: 69165

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16-I/P

ចំណែកផ្នែក: 75494

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L16-I/P

ចំណែកផ្នែក: 75548

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04-E/P

ចំណែកផ្នែក: 77104

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04-E/P

ចំណែកផ្នែក: 77114

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16-E/ST

ចំណែកផ្នែក: 78774

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L16-E/ST

ចំណែកផ្នែក: 78823

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L16T-E/ST

ចំណែកផ្នែក: 82331

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16T-E/ST

ចំណែកផ្នែក: 82322

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L04-I/P

ចំណែកផ្នែក: 82325

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16-I/ST

ចំណែកផ្នែក: 86242

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L16-E/SN

ចំណែកផ្នែក: 86164

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L16-I/ST

ចំណែកផ្នែក: 86165

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C04-I/P

ចំណែកផ្នែក: 82368

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47L16T-E/SN

ចំណែកផ្នែក: 90917

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

47C16T-E/SN

ចំណែកផ្នែក: 90943

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EERAM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, SRAM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1ms,

40060586

ចំណែកផ្នែក: 2174

40060541

ចំណែកផ្នែក: 2123

40060397

ចំណែកផ្នែក: 2048

40060530

ចំណែកផ្នែក: 2120

40060389

ចំណែកផ្នែក: 2036

40060381

ចំណែកផ្នែក: 2012

40060283

ចំណែកផ្នែក: 2073

40060287

ចំណែកផ្នែក: 215

40060127

ចំណែកផ្នែក: 2009

40060274

ចំណែកផ្នែក: 1967

4348614

ចំណែកផ្នែក: 48571

40060299

ចំណែកផ្នែក: 4473

40060633

ចំណែកផ្នែក: 4472