Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

BUK9608-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9608-55A,118

ចំណែកផ្នែក: 81443

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 75A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS138LT3
ON Semiconductor

BSS138LT3

ចំណែកផ្នែក: 281

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS123LT3
ON Semiconductor

BSS123LT3

ចំណែកផ្នែក: 305

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 170mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS123LT3G
ON Semiconductor

BSS123LT3G

ចំណែកផ្នែក: 251

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 170mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BS170RLRPG
ON Semiconductor

BS170RLRPG

ចំណែកផ្នែក: 339

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BS170RLRP
ON Semiconductor

BS170RLRP

ចំណែកផ្នែក: 277

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BS170G
ON Semiconductor

BS170G

ចំណែកផ្នែក: 6047

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BS108G
ON Semiconductor

BS108G

ចំណែកផ្នែក: 5654

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2V, 2.8V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BS107G
ON Semiconductor

BS107G

ចំណែកផ្នែក: 6088

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BS107ARL1G
ON Semiconductor

BS107ARL1G

ចំណែកផ្នែក: 245

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BS107ARL1
ON Semiconductor

BS107ARL1

ចំណែកផ្នែក: 306

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BS170P
Diodes Incorporated

BS170P

ចំណែកផ្នែក: 82285

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 270mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS87L6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 311

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 240V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 260mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS84PW
Infineon Technologies

BSS84PW

ចំណែកផ្នែក: 246

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS84PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS84PL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 264

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 170mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS192PL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 303

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 190mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.8V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS7728N
Infineon Technologies

BSS7728N

ចំណែកផ្នែក: 298

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS138NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS138NL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 227

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 230mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS138W E6327
Infineon Technologies

BSS138W E6327

ចំណែកផ្នែក: 295

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 280mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSS123L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS123L6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 228

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 170mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP92PL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 265

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 260mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP89L6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 257

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 240V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 350mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies

BSP613PL6327HUSA1

ចំណែកផ្នែក: 321

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP372L6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 290

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP373L6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 6061

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP316PL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 238

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 680mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP317PL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 303

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 430mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP297L6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 301

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 660mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP315PL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 253

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.17A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP296L6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 270

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.1A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP295L6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 290

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.8A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP171PL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 6106

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP170PL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 276

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSO300N03S
Infineon Technologies

BSO300N03S

ចំណែកផ្នែក: 251

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.2A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSO200N03S
Infineon Technologies

BSO200N03S

ចំណែកផ្នែក: 232

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BSO072N03S
Infineon Technologies

BSO072N03S

ចំណែកផ្នែក: 276

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា