ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 100

BSS138W-TP

ចំណែកផ្នែក: 114968

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 220mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BSS806NEH6327XTSA1

ចំណែកផ្នែក: 133510

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 2.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BSL307SPH6327XTSA1

ចំណែកផ្នែក: 173921

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BSR302NL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 147786

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BSP149H6327XTSA1

ចំណែកផ្នែក: 151561

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 660mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 0V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA2

ចំណែកផ្នែក: 139015

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 21mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 0V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BSR315PH6327XTSA1

ចំណែកផ្នែក: 154692

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 620mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BSP300H6327XUSA1

ចំណែកផ្នែក: 149949

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 190mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BUZ73LHXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 1204

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BUZ73ALHXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 1178

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BUZ73A H3046

ចំណែកផ្នែក: 1626

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BUZ73A H

ចំណែកផ្នែក: 1233

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BUZ73HXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 1190

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BUZ73H3046XKSA1

ចំណែកផ្នែក: 1217

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BUZ31L H

ចំណែកផ្នែក: 1152

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BUZ31HXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 1196

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

BSS84PH6327XTSA1

ចំណែកផ្នែក: 1174

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 170mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Nexperia USA Inc.

BUK7D25-40EX

ចំណែកផ្នែក: 9923

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Nexperia USA Inc.

BUK7905-40AIE,127

ចំណែកផ្នែក: 28752

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 75A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Nexperia USA Inc.

BUK6228-55C,118

ចំណែកផ្នែក: 183525

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 31A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Nexperia USA Inc.

BUK9610-100B,118

ចំណែកផ្នែក: 61512

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 75A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Nexperia USA Inc.

BUK6607-55C,118

ចំណែកផ្នែក: 123826

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Nexperia USA Inc.

BUK962R8-60E,118

ចំណែកផ្នែក: 53057

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Nexperia USA Inc.

BUK7635-55A,118

ចំណែកផ្នែក: 157535

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 35A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 20A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BMS4003

ចំណែកផ្នែក: 1258

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 18A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BXL4001

ចំណែកផ្នែក: 1160

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 85A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 43A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BMS3003

ចំណែកផ្នែក: 1228

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 78A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BFL4007

ចំណែកផ្នែក: 1221

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BFL4036

ចំណែកផ្នែក: 1229

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.6A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BFL4004

ចំណែកផ្នែក: 1163

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BFL4037

ចំណែកផ្នែក: 1124

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BMS4007

ចំណែកផ្នែក: 1121

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 60A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BFL4026

ចំណែកផ្នែក: 6121

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BFL4001

ចំណែកផ្នែក: 1193

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.1A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

BBS3002-DL-E

ចំណែកផ្នែក: 6191

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NXP USA Inc.

BUK9875-100A,115

ចំណែកផ្នែក: 1199

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា