បុម្ពអកសរ | ការបិបន៍នា |
ស្ថានភាពផ្នែក | Obsolete |
---|---|
ប្រភេទហ្វីត | P-Channel |
បច្ចេកវិទ្យា | MOSFET (Metal Oxide) |
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) | 20V |
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ | 25A (Tc) |
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់ | 1V @ 250µA |
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 120nC @ 8V |
Vgs (អតិបរមា) | ±8V |
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ | 4300pF @ 10V |
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | - |
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -50°C ~ 150°C (TJ) |
ប្រភេទម៉ោន | Surface Mount |
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់ | PowerPAK® ChipFet Single |
កញ្ចប់ / ករណី | PowerPAK® ChipFET™ Single |
ស្ថានភាពរបស់ Rhs | rohs អនុវត្តតាម Rohs |
---|---|
កំរិតរសើបសំណើម (MSL) | មិនអាចអនុវត្តបាន |
ស្ថានភាពជីវិត | ហួសសម័យ / ចុងបញ្ចប់នៃជីវិត |
ប្រភេទស្តុក | ភាគហ៊ុនដែលមាន |