បុម្ពអកសរ | ការបិបន៍នា |
ស្ថានភាពផ្នែក | Active |
---|---|
ប្រភេទហ្វីត | 2 N-Channel (Dual) |
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | Silicon Carbide (SiC) |
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ | 100A (Tc) |
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 100A, 20V |
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់ | 5V @ 10mA |
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 500nC @ 20V |
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ | 10200pF @ 800V |
ថាមពល - អតិបរមា | 1080W |
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -40°C ~ 175°C (TJ) |
ប្រភេទម៉ោន | Chassis Mount |
កញ្ចប់ / ករណី | Module |
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់ | Module |
ស្ថានភាពរបស់ Rhs | rohs អនុវត្តតាម Rohs |
---|---|
កំរិតរសើបសំណើម (MSL) | មិនអាចអនុវត្តបាន |
ស្ថានភាពជីវិត | ហួសសម័យ / ចុងបញ្ចប់នៃជីវិត |
ប្រភេទស្តុក | ភាគហ៊ុនដែលមាន |