| បុម្ពអកសរ | ការបិបន៍នា |
| ស្ថានភាពផ្នែក | Active |
|---|---|
| ប្រភេទហ្វីត | N-Channel |
| បច្ចេកវិទ្យា | SiCFET (Silicon Carbide) |
| បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) | 1200V |
| ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ | 60A (Tc) |
| វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) | 20V |
| Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់ | 2.8V @ 10mA |
| បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 115nC @ 20V |
| Vgs (អតិបរមា) | +25V, -10V |
| សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ | 1893pF @ 1000V |
| លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | - |
| ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) | 330W (Tc) |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ប្រភេទម៉ោន | Through Hole |
| កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់ | TO-247-3 |
| កញ្ចប់ / ករណី | TO-247-3 |
| ស្ថានភាពរបស់ Rhs | rohs អនុវត្តតាម Rohs |
|---|---|
| កំរិតរសើបសំណើម (MSL) | មិនអាចអនុវត្តបាន |
| ស្ថានភាពជីវិត | ហួសសម័យ / ចុងបញ្ចប់នៃជីវិត |
| ប្រភេទស្តុក | ភាគហ៊ុនដែលមាន |
