| បុម្ពអកសរ | ការបិបន៍នា |
| ស្ថានភាពផ្នែក | Active |
|---|---|
| ប្រភេទអង្គចងចាំ | Non-Volatile |
| ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ | EEPROM |
| បច្ចេកវិទ្យា | EEPROM |
| ទំហំសតិ | 4Kb (512 x 8) |
| ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា | 4MHz |
| សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ | 5ms |
| ពេលវេលាចូលប្រើ | 250ns |
| ចំណុចប្រទាក់សតិ | I²C |
| វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់ | 2.7V ~ 3.6V |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | 0°C ~ 70°C (TC) |
| ប្រភេទម៉ោន | Surface Mount |
| កញ្ចប់ / ករណី | M2 P, Smart Card Module (TWI) |
| កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់ | M2 - P Module (TWI) |
| ស្ថានភាពរបស់ Rhs | rohs អនុវត្តតាម Rohs |
|---|---|
| កំរិតរសើបសំណើម (MSL) | មិនអាចអនុវត្តបាន |
| ស្ថានភាពជីវិត | ហួសសម័យ / ចុងបញ្ចប់នៃជីវិត |
| ប្រភេទស្តុក | ភាគហ៊ុនដែលមាន |
