Menu
CambodiaCambodia
0RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH01HM3/6A

ចំណែកផ្នែក: 165175

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 930mV @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 18ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SB1H90-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB1H90-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 176647

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 90V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 770mV @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PD-M3/85A

ចំណែកផ្នែក: 115870

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 1.8µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SS24-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24-E3/5BT

ចំណែកផ្នែក: 181211

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 500mV @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SS3H9-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H9-M3/57T

ចំណែកផ្នែក: 159623

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 90V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
UG4C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4C-E3/54

ចំណែកផ្នែក: 177524

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 950mV @ 4A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 30ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-10BQ015HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ015HM3/5BT

ចំណែកផ្នែក: 189348

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 15V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 330mV @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VSSAF5M15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M15-M3/H

ចំណែកផ្នែក: 151

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
RS2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2D-M3/52T

ចំណែកផ្នែក: 156675

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-3EGU06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EGU06-M3/5BT

ចំណែកផ្នែក: 178519

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-MBRS190-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS190-M3/5BT

ចំណែកផ្នែក: 185272

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 90V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 780mV @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH02HM3/6A

ចំណែកផ្នែក: 178329

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 930mV @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 18ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SL42-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL42-E3/57T

ចំណែកផ្នែក: 165298

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 420mV @ 4A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
V8PAM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAM12-M3/I

ចំណែកផ្នែក: 136

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S1AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFJ-M3/6A

ចំណែកផ្នែក: 190753

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 1.47µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
GPP10J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10J-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 115689

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-10BQ040HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ040HM3/5BT

ចំណែកផ្នែក: 133136

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 450mV @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
UG1A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1A-E3/54

ចំណែកផ្នែក: 164168

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 950mV @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SS2PH10-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH10-M3/85A

ចំណែកផ្នែក: 169958

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SS2PH5HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH5HM3/85A

ចំណែកផ្នែក: 102737

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
CS3K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS3K-E3/I

ចំណែកផ្នែក: 156130

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 3A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2.8µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
GPP10J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10J-E3/54

ចំណែកផ្នែក: 102282

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S1PM-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PM-M3/85A

ចំណែកផ្នែក: 147401

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 1.8µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S2KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2KHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 171812

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
V8PA10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA10-M3/I

ចំណែកផ្នែក: 110

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 760mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2K-M3/52T

ចំណែកផ្នែក: 117990

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20150S-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 106130

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VSSAF5M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M6HM3/H

ចំណែកផ្នែក: 77

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 660mV @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S3M-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3M-M3/9AT

ចំណែកផ្នែក: 181258

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 2.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2.5µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAD-M3/I

ចំណែកផ្នែក: 166924

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.16V @ 3A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 1.3µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
V8PA15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA15-M3/I

ចំណែកផ្នែក: 123

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
V8PA12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA12-M3/I

ចំណែកផ្នែក: 156

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 870mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
RS3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3A-M3/9AT

ចំណែកផ្នែក: 179050

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 2.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3B-M3/9AT

ចំណែកផ្នែក: 143312

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 2.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2.5µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S1PG-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PG-M3/85A

ចំណែកផ្នែក: 167861

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 1.8µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
V10P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8-M3/87A

ចំណែកផ្នែក: 156354

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3.9A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 680mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា