Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ
1N4002GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPEHE3/54

ចំណែកផ្នែក: 5130

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3613GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3613GPHE3/54

ចំណែកផ្នែក: 900

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3957GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3957GPHE3/54

ចំណែកផ្នែក: 972

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3612GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3612GPHE3/54

ចំណែកផ្នែក: 912

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3611GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GPHE3/54

ចំណែកផ្នែក: 5188

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5622GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5622GP-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 891

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5614GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GP-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 897

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5399GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 900

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5393GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 887

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5397GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 5169

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5062GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5062GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 863

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5060GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5060GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 904

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4948GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 5181

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 500ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4944GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4944GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 901

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4942GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4942GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 865

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4937GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 823

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4936GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 845

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4935GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4935GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 875

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4934GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 870

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4586GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 866

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4933GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4933GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 862

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4249GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4249GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 843

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4248GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4248GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 877

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4247GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4247GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 5114

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4246GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4246GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 877

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4007GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 877

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4007GPEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPEHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 5176

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4005GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 904

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4006GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 898

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4005GPEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPEHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 835

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4004GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 894

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4003GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 823

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4002GPEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPEHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 895

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4002GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 818

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4001GPEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPEHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 5146

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4001GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPHE3/73

ចំណែកផ្នែក: 869

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា