ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

BZG05C30TR3

BZG05C30TR3

ចំណែកផ្នែក: 3523

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ថាមពល - អតិបរមា: 1.25W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZG05C5V1TR

BZG05C5V1TR

ចំណែកផ្នែក: 3568

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ថាមពល - អតិបរមា: 1.25W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 1.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZG03C12TR

BZG03C12TR

ចំណែកផ្នែក: 195389

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ថាមពល - អតិបរមា: 3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 9.1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 500mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZG05C4V7TR

BZG05C4V7TR

ចំណែកផ្នែក: 3540

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.25W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 13 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZG03C33TR

BZG03C33TR

ចំណែកផ្នែក: 124610

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.25W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 24V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 500mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX55C3V9-TAP

BZX55C3V9-TAP

ចំណែកផ្នែក: 199815

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 85 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C6V8-E3-18

BZX384C6V8-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 193326

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX55C5V6-TAP

BZX55C5V6-TAP

ចំណែកផ្នែក: 191305

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZM55C2V4-TR

BZM55C2V4-TR

ចំណែកផ្នែក: 183697

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 600 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C27-GS08

BZT55C27-GS08

ចំណែកផ្នែក: 186427

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 20V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX55C15-TAP

BZX55C15-TAP

ចំណែកផ្នែក: 118746

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 11V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX55C5V1-TR

BZX55C5V1-TR

ចំណែកផ្នែក: 104837

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZM55B3V6-TR

BZM55B3V6-TR

ចំណែកផ្នែក: 134422

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 600 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C8V2-GS08

BZT55C8V2-GS08

ចំណែកផ្នែក: 161098

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 6.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZM55C24-TR

BZM55C24-TR

ចំណែកផ្នែក: 139466

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 220 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 18V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX84C9V1-HE3-18

BZX84C9V1-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 110548

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 300mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX85B5V6-TR

BZX85B5V6-TR

ចំណែកផ្នែក: 156744

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX85C62-TAP

BZX85C62-TAP

ចំណែកផ្នែក: 133286

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 125 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 47V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX55C3V9-TR

BZX55C3V9-TR

ចំណែកផ្នែក: 141045

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 85 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C20-GS08

BZT55C20-GS08

ចំណែកផ្នែក: 124386

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 15V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX55C7V5-TAP

BZX55C7V5-TAP

ចំណែកផ្នែក: 120904

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B3V6-E3-18

BZX384B3V6-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 112973

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZM55C4V7-TR

BZM55C4V7-TR

ចំណែកផ្នែក: 136871

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 600 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZM55C3V9-TR

BZM55C3V9-TR

ចំណែកផ្នែក: 144963

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 600 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C3V3-HE3-18

BZT52C3V3-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 131094

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZM55B27-TR

BZM55B27-TR

ចំណែកផ្នែក: 162232

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 220 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 20V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B5V6-E3-18

BZX384B5V6-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 123250

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX55C6V8-TR

BZX55C6V8-TR

ចំណែកផ្នែក: 149764

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZM55C9V1-TR

BZM55C9V1-TR

ចំណែកផ្នែក: 110835

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 50 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 6.8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX85C16-TR

BZX85C16-TR

ចំណែកផ្នែក: 127523

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 12V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C12-E3-18

BZT52C12-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 135668

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 9V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX84C18-E3-18

BZX84C18-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 196074

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 300mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 45 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 12.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C5V6-GS08

BZT55C5V6-GS08

ចំណែកផ្នែក: 104525

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C3V6-GS08

BZT55C3V6-GS08

ចំណែកផ្នែក: 180843

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZM55C3V0-TR

BZM55C3V0-TR

ចំណែកផ្នែក: 165713

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 600 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 4µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C10-E3-18

BZT52C10-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 140378

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5.2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 7.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា