ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

1N5223C-TAP

1N5223C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 190259

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 75µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5258C-TAP

1N5258C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 167365

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 27V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5230C-TAP

1N5230C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 148216

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5221C-TR

1N5221C-TR

ចំណែកផ្នែក: 116346

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5257B-TAP

1N5257B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 157871

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 58 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 25V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5255B-TAP

1N5255B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 133697

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 28V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 44 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 21V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5230C-TR

1N5230C-TR

ចំណែកផ្នែក: 146922

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5229C-TR

1N5229C-TR

ចំណែកផ្នែក: 150424

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5222B-TR

1N5222B-TR

ចំណែកផ្នែក: 166053

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5249C-TAP

1N5249C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 129155

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 19V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 14V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5233B-TR

1N5233B-TR

ចំណែកផ្នែក: 179675

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5251B-TAP

1N5251B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 132455

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 29 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 17V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5260B-TR

1N5260B-TR

ចំណែកផ្នែក: 194312

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 93 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 33V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5222B-TAP

1N5222B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 194651

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5241C-TAP

1N5241C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 174559

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 8.4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5244C-TR

1N5244C-TR

ចំណែកផ្នែក: 176820

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 14V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 10V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5266C-TAP

1N5266C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 119616

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 68V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 230 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 52V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5259B-TAP

1N5259B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 122085

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 30V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5265C-TR

1N5265C-TR

ចំណែកផ្នែក: 182636

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 185 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 47V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5249B-TAP

1N5249B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 114386

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 19V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 14V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5238B-TR

1N5238B-TR

ចំណែកផ្នែក: 138925

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5251C-TAP

1N5251C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 191651

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 29 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 17V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5253C-TR

1N5253C-TR

ចំណែកផ្នែក: 128864

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 25V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 19V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5257B-TR

1N5257B-TR

ចំណែកផ្នែក: 141201

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 58 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 25V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5243C-TR

1N5243C-TR

ចំណែកផ្នែក: 197170

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 13 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 9.9V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5238B-TAP

1N5238B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 123513

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5261C-TAP

1N5261C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 174722

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 105 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 36V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5261B-TAP

1N5261B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 197730

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 105 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 36V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5251C-TR

1N5251C-TR

ចំណែកផ្នែក: 140216

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 29 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 17V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5223B-TAP

1N5223B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 109706

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 75µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5249B-TR

1N5249B-TR

ចំណែកផ្នែក: 118696

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 19V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 14V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5254B-TR

1N5254B-TR

ចំណែកផ្នែក: 169815

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 41 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 21V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5267C-TAP

1N5267C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 148727

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 75V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 270 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 56V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5253B-TR

1N5253B-TR

ចំណែកផ្នែក: 116134

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 25V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 19V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5261C-TR

1N5261C-TR

ចំណែកផ្នែក: 133346

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 105 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 36V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5244C-TAP

1N5244C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 117306

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 14V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 10V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា