Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីយ៉ូ - ដាប់ប៊ែល - អារេ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីយ៉ូ - ដាប់ប៊ែល - អារេ
VS-MBR4060WTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR4060WTPBF

ចំណែកផ្នែក: 26231

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VBT6045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT6045CBP-E3/8W

ចំណែកផ្នែក: 39567

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 640mV @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-20CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ045-1PBF

ចំណែកផ្នែក: 76925

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 760mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-20CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150S-M3

ចំណែកផ្នែក: 92599

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-HFA30TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30TA60C-M3

ចំណែកផ្នែក: 5325

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2V @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-MUR2020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MUR2020CT-M3

ចំណែកផ្នែក: 2452

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 16A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VB20150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20150C-E3/8W

ចំណែកផ្នែក: 75197

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VF20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20100C-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 45218

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 790mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF20H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF20H100CT-E3/45

ចំណែកផ្នែក: 32446

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 770mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
V40120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 63153

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VB20100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20100C-E3/8W

ចំណែកផ្នែក: 63336

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 790mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-403CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-403CNQ100PBF

ចំណែកផ្នែក: 1867

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-20CTQ150SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150SPBF

ចំណែកផ្នែក: 24752

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-STPS40L40CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS40L40CWPBF

ចំណែកផ្នែក: 21246

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 530mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-30CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045PBF

ចំណែកផ្នែក: 25973

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 620mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VB40150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40150C-E3/8W

ចំណែកផ្នែក: 55541

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.43V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VB60120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB60120C-E3/8W

ចំណែកផ្នែក: 47443

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 950mV @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-82CNQ030APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-82CNQ030APBF

ចំណែកផ្នែក: 4454

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 550mV @ 80A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-HFA16PA120CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16PA120CPBF

ចំណែកផ្នែក: 10054

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 3.3V @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VI30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI30200C-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 26975

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-30CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ060PBF

ចំណែកផ្នែក: 28359

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 620mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-HFA08TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA08TA60C-M3

ចំណែកផ្នែក: 5131

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.2V @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-80CNQ045APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CNQ045APBF

ចំណែកផ្នែក: 5158

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 520mV @ 40A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-RA160FA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-RA160FA120

ចំណែកផ្នែក: 1066

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 91A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.27V @ 100A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VBT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2080C-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 55529

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 810mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-UFB280FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB280FA40

ចំណែកផ្នែក: 2587

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 170A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.24V @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR1545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1545CT-E3/45

ចំណែកផ្នែក: 77969

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 7.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 570mV @ 7.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VB20200G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20200G-E3/8W

ចំណែកផ្នែក: 78584

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-VSUD360CW40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD360CW40

ចំណែកផ្នែក: 1637

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 510A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 360A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-QA250FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-QA250FA20

ចំណែកផ្នែក: 3447

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 250A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRB2045CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CT-E3/81

ចំណែកផ្នែក: 79585

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-HFA16TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16TA60CS-M3

ចំណែកផ្នែក: 4342

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.1V @ 16A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VS-63CPQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-63CPQ100PBF

ចំណែកផ្នែក: 13155

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 770mV @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VI40120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI40120C-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 26790

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VB20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20200C-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 42649

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
VBT30L60C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT30L60C-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 34546

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 600mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា