ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

ផ្ទហ
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

Vishay Siliconix

IRFI540GPBF

ចំណែកផ្នែក: 25306

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SI8805EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8805EDB-T2-E1

ចំណែកផ្នែក: 116920

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.2V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SI1414DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1414DH-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 105432

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRLU110PBF

ចំណែកផ្នែក: 44175

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ480E-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 54836

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SUP50N10-21P-GE3

Vishay Siliconix

SUP50N10-21P-GE3

ចំណែកផ្នែក: 40477

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SQD07N25-350H_GE3

Vishay Siliconix

SQD07N25-350H_GE3

ចំណែកផ្នែក: 8682

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR214TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 113516

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.2A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFU9014PBF

ចំណែកផ្នែក: 49898

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.1A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

VQ1004P

ចំណែកផ្នែក: 1763

វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SQD23N06-31L_GE3

Vishay Siliconix

SQD23N06-31L_GE3

ចំណែកផ្នែក: 97850

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 23A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFU110PBF

ចំណែកផ្នែក: 75528

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRF644PBF

ចំណែកផ្នែក: 48209

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8.4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SIR644DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR644DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 121512

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 60A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRF9640PBF

ចំណែកផ្នែក: 40692

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SI1315DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1315DL-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 176998

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 900mA (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 336 mOhm @ 800mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR9014TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 149247

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.1A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SUP53P06-20-GE3

Vishay Siliconix

SUP53P06-20-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1777

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.2A (Ta), 53A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

VP0808B-2

ចំណែកផ្នែក: 1858

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 880mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFD9123

ចំណែកផ្នែក: 1797

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR430ATRPBF

ចំណែកផ្នែក: 80238

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

VP0808B-E3

ចំណែកផ្នែក: 1809

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 880mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SQD30N05-20L_GE3

Vishay Siliconix

SQD30N05-20L_GE3

ចំណែកផ្នែក: 110170

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SQD97N06-6M3L_GE3

Vishay Siliconix

SQD97N06-6M3L_GE3

ចំណែកផ្នែក: 97635

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 97A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR9020TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 105921

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.9A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR9120PBF

ចំណែកផ្នែក: 66670

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SUD42N03-3M9P-GE3

Vishay Siliconix

SUD42N03-3M9P-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1783

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 42A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 22A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFP26N60L

ចំណែកផ្នែក: 1825

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 26A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 16A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SIJH440E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJH440E-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 57409

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 0.96 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRLIZ34GPBF

ចំណែកផ្នែក: 25084

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 12A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRF9510SPBF

ចំណែកផ្នែក: 32554

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SIR482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR482DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1852

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 35A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRLZ24PBF

ចំណែកផ្នែក: 54654

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR9024TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 180875

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.8A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

SI4038DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4038DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1778

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 42.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

VP0808B

ចំណែកផ្នែក: 1769

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 880mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

3600

«
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
»