ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

BZV55B8V2 L1G

BZV55B8V2 L1G

ចំណែកផ្នែក: 225

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 6.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B33 L0G

BZV55B33 L0G

ចំណែកផ្នែក: 160

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 24V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B2V4 L1G

BZV55B2V4 L1G

ចំណែកផ្នែក: 203

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 85 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55B11 L1G

BZT55B11 L1G

ចំណែកផ្នែក: 177

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55C15 L1G

BZV55C15 L1G

ចំណែកផ្នែក: 253

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 11V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C3V0 L1G

BZT55C3V0 L1G

ចំណែកផ្នែក: 172

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 85 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 4µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55C5V1 L1G

BZV55C5V1 L1G

ចំណែកផ្នែក: 189

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55C2V4 L0G

BZV55C2V4 L0G

ចំណែកផ្នែក: 213

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 85 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B68 L0G

BZV55B68 L0G

ចំណែកផ្នែក: 227

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 68V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 160 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 51V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C47 L1G

BZT55C47 L1G

ចំណែកផ្នែក: 167

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 110 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 35V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55B5V6 L1G

BZT55B5V6 L1G

ចំណែកផ្នែក: 180

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B24 L0G

BZV55B24 L0G

ចំណែកផ្នែក: 181

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 18V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B18 L1G

BZV55B18 L1G

ចំណែកផ្នែក: 207

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 50 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 13V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55C43 L1G

BZV55C43 L1G

ចំណែកផ្នែក: 167

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 32V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B30 L0G

BZV55B30 L0G

ចំណែកផ្នែក: 179

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 22V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55C47 L1G

BZV55C47 L1G

ចំណែកផ្នែក: 183

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 110 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 35V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C22 L1G

BZT55C22 L1G

ចំណែកផ្នែក: 161

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 16V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B13 L1G

BZV55B13 L1G

ចំណែកផ្នែក: 196

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 26 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 10V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B16 L0G

BZV55B16 L0G

ចំណែកផ្នែក: 194

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 12V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C12 L1G

BZT55C12 L1G

ចំណែកផ្នែក: 251

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 9.1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B22 L1G

BZV55B22 L1G

ចំណែកផ្នែក: 208

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 16V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55B68 L1G

BZT55B68 L1G

ចំណែកផ្នែក: 155

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 68V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 160 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 51V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C20 L1G

BZT55C20 L1G

ចំណែកផ្នែក: 219

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 15V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55C39 L1G

BZV55C39 L1G

ចំណែកផ្នែក: 244

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 28V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX85C22 R0G

BZX85C22 R0G

ចំណែកផ្នែក: 226

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 16V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55C12 L1G

BZV55C12 L1G

ចំណែកផ្នែក: 187

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 9.1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C39 L1G

BZT55C39 L1G

ចំណែកផ្នែក: 171

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 28V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B75 L0G

BZV55B75 L0G

ចំណែកផ្នែក: 171

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 75V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 170 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 56V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C6V2 L1G

BZT55C6V2 L1G

ចំណែកផ្នែក: 164

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B7V5 L1G

BZV55B7V5 L1G

ចំណែកផ្នែក: 159

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C4V3 L1G

BZT55C4V3 L1G

ចំណែកផ្នែក: 225

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 75 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZV55B47 L0G

BZV55B47 L0G

ចំណែកផ្នែក: 179

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 110 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 35V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT55C75 L1G

BZT55C75 L1G

ចំណែកផ្នែក: 221

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 75V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 170 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 56V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX85C27 R0G

BZX85C27 R0G

ចំណែកផ្នែក: 211

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 20V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX85C9V1 R0G

BZX85C9V1 R0G

ចំណែកផ្នែក: 241

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 6.9V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX85C43 R0G

BZX85C43 R0G

ចំណែកផ្នែក: 240

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 50 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 30V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា