ការចងចាំ

RMLV0408EGSB-4S2#AA0

RMLV0408EGSB-4S2#AA0

ចំណែកផ្នែក: 4912

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
RMLV0416EGSB-4S2#AA0

RMLV0416EGSB-4S2#AA0

ចំណែកផ្នែក: 4976

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
RMLV0416EGSB-4S2#HA0

RMLV0416EGSB-4S2#HA0

ចំណែកផ្នែក: 4968

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN58X25256FPIAG#S0

HN58X25256FPIAG#S0

ចំណែកផ្នែក: 7301

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 5MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV3216RSA-5SR#S0

R1LV3216RSA-5SR#S0

ចំណែកផ្នែក: 2787

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV0108ESN-7SR#S0

R1LV0108ESN-7SR#S0

ចំណែកផ្នែក: 1295

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
RMLV0408EGSB-4S2#HA0

RMLV0408EGSB-4S2#HA0

ចំណែកផ្នែក: 4969

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
RMLV0408EGSA-4S2#KA0

RMLV0408EGSA-4S2#KA0

ចំណែកផ្នែក: 4966

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1EX25512ATA00I#U0

R1EX25512ATA00I#U0

ចំណែកផ្នែក: 2967

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 5MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV0108ESN-7SR#B0

R1LV0108ESN-7SR#B0

ចំណែកផ្នែក: 1286

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LP0108ESN-7SR#S0

R1LP0108ESN-7SR#S0

ចំណែកផ្នែក: 1264

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV3216RSA-7SR#S0

R1LV3216RSA-7SR#S0

ចំណែកផ្នែក: 2847

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
RMLV0408EGSA-4S2#AA0

RMLV0408EGSA-4S2#AA0

ចំណែកផ្នែក: 4970

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
RMLV0414EGSB-4S2#HA0

RMLV0414EGSB-4S2#HA0

ចំណែកផ្នែក: 4987

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV0108ESN-5SR#B0

R1LV0108ESN-5SR#B0

ចំណែកផ្នែក: 1209

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN58X25128FPIAG#S0

HN58X25128FPIAG#S0

ចំណែកផ្នែក: 2777

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 128Kb (16K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 5MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV0108ESN-7SI#S0

R1LV0108ESN-7SI#S0

ចំណែកផ្នែក: 1290

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
RMLV0414EGSB-4S2#AA0

RMLV0414EGSB-4S2#AA0

ចំណែកផ្នែក: 5022

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV3216RSA-7SR#B0

R1LV3216RSA-7SR#B0

ចំណែកផ្នែក: 2826

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1EX24064ASAS0I#U0

R1EX24064ASAS0I#U0

ចំណែកផ្នែក: 2743

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1RW0416DSB-2PI#B0

R1RW0416DSB-2PI#B0

ចំណែកផ្នែក: 3101

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 12ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HM28100TTI5SE

HM28100TTI5SE

ចំណែកផ្នែក: 5535

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1WV6416RSD-5SI#S0

R1WV6416RSD-5SI#S0

ចំណែកផ្នែក: 3565

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1EX24256BSAS0I#K0

R1EX24256BSAS0I#K0

ចំណែកផ្នែក: 9012

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV1616RBG-7SR#S0

R1LV1616RBG-7SR#S0

ចំណែកផ្នែក: 2262

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 16Mb (1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1EX24512BTAS0I#S0

R1EX24512BTAS0I#S0

ចំណែកផ្នែក: 2254

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV5256ESA-5SI#B0

R1LV5256ESA-5SI#B0

ចំណែកផ្នែក: 9180

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV0108ESN-7SI#B0

R1LV0108ESN-7SI#B0

ចំណែកផ្នែក: 8974

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1EX24002ATAS0I#S0

R1EX24002ATAS0I#S0

ចំណែកផ្នែក: 2250

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1EX24128BSAS0I#K0

R1EX24128BSAS0I#K0

ចំណែកផ្នែក: 8961

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 128Kb (16K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1EX25008ATA00I#S0

R1EX25008ATA00I#S0

ចំណែកផ្នែក: 2254

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 5MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV5256ESA-5SI#S0

R1LV5256ESA-5SI#S0

ចំណែកផ្នែក: 2391

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1WV3216RBG-7SR#B0

R1WV3216RBG-7SR#B0

ចំណែកផ្នែក: 9415

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1EX24008ASAS0I#U0

R1EX24008ASAS0I#U0

ចំណែកផ្នែក: 6440

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LV0816ASB-7SI#B0

R1LV0816ASB-7SI#B0

ចំណែកផ្នែក: 9244

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 8Mb (512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
R1LP0108ESF-5SI#B0

R1LP0108ESF-5SI#B0

ចំណែកផ្នែក: 8844

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា