ឧបករណ៍ប្តូរ RFID ស្លាក

V680-D32KF68

ចំណែកផ្នែក: 755

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 2kb (User),

V680-D2KF67

ចំណែកផ្នែក: 744

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 2kb (User),

V680S-D8KF68M

ចំណែកផ្នែក: 430

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8kB (User), បទដ្ឋាន: ISO 15693, ISO 18000-3,

V680-D8KF67

ចំណែកផ្នែក: 700

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8.2kB (User),

V680-D2KF67M

ចំណែកផ្នែក: 1105

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 2kb (User),

V680-D1KP58HTN

ចំណែកផ្នែក: 410

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 1kB (User),

V600-D8KR11

ចំណែកផ្នែក: 217

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Active, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8kB (User),

DKY-RI-TRP-DR2B-30

ចំណែកផ្នែក: 715

ស្តាយ: Glass Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 134.2kHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 1.36kb (User), បទដ្ឋាន: ISO 11784, ISO 11785,

V600-D23P53

ចំណែកផ្នែក: 1157

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 254kB (User),

V600-D23P66N

ចំណែកផ្នែក: 1957

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 254kB (User),

V600-D23P51-Y

ចំណែកផ្នែក: 612

ស្តាយ: Coin, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write,

V600-D8KF04

ចំណែកផ្នែក: 150

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8kB (User),

V680-D8KF68A

ចំណែកផ្នែក: 714

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8.2kB (User),

V680S-D2KF67M

ចំណែកផ្នែក: 1178

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 2kb (User), បទដ្ឋាន: ISO 15693, ISO 18000-3,

V600-D23P61

ចំណែកផ្នែក: 806

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 254kB (User),

V750-D22M01-IM-R5K

ចំណែកផ្នែក: 37071

ស្តាយ: Inlay, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 860MHz ~ 960MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 96b (EPC), បទដ្ឋាន: EPC,

V680S-D2KF68M

ចំណែកផ្នែក: 819

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 2kb (User), បទដ្ឋាន: ISO 15693, ISO 18000-3,

V600-D8KR04

ចំណែកផ្នែក: 249

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8kB (User),

V680-D1KP52MT

ចំណែកផ្នែក: 2013

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 1kB (User),

V600-D8KR12

ចំណែកផ្នែក: 281

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8kB (User),

V600-D23P71

ចំណែកផ្នែក: 762

ស្តាយ: Card, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 254kB (User),

V750-D04P096-R1

ចំណែកផ្នែក: 1460

V680-D1KP54T

ចំណែកផ្នែក: 1811

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 1kB (User),

V680-D2KF52M

ចំណែកផ្នែក: 1378

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 2kb (User),

V600-D23P66SP

ចំណែកផ្នែក: 363

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 254kB (User),

V680S-D8KF68

ចំណែកផ្នែក: 568

ស្តាយ: Inlay, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8.2kB (User),

V680S-D8KF67M

ចំណែកផ្នែក: 506

ស្តាយ: Inlay, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8.2kB (User),

V680-D1KP58HT

ចំណែកផ្នែក: 437

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 1kB (User),

V680-D1KP66MT

ចំណែកផ្នែក: 1956

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 1kB (User),

V680S-D8KF67

ចំណែកផ្នែក: 623

ស្តាយ: Inlay, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8.2kB (User),

V600-D8KR13

ចំណែកផ្នែក: 266

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8kB (User),

WF-SM-ID

ចំណែកផ្នែក: 10311

V600-D23P54

ចំណែកផ្នែក: 850

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 254kB (User),

V680-D8KF67M

ចំណែកផ្នែក: 759

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 8.2kB (User),

WF-SM-IN02

ចំណែកផ្នែក: 5283

V680S-D2KF68

ចំណែកផ្នែក: 977

ស្តាយ: Encapsulated, បច្ចេកវិទ្យា: Passive, ភាពញឹកញាប់: 13.56MHz, ប្រភេទអង្គចងចាំ: Read/Write, ការចងចាំដែលអាចសរសេរបាន: 2kb (User), បទដ្ឋាន: ISO 15693, ISO 18000-3,