ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៉ូលីឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ, បុរេលំអ

PDTC144ET,215

PDTC144ET,215

ចំណែកផ្នែក: 183240

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PBRP123ET,215

PBRP123ET,215

ចំណែកផ្នែក: 127020

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 300mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTD143XTR

PDTD143XTR

ចំណែកផ្នែក: 198969

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA114YUF

PDTA114YUF

ចំណែកផ្នែក: 172898

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC123EU,115

PDTC123EU,115

ចំណែកផ្នែក: 196761

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA114ET,215

PDTA114ET,215

ចំណែកផ្នែក: 132687

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA113EU,115

PDTA113EU,115

ចំណែកផ្នែក: 167465

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC115ET,215

PDTC115ET,215

ចំណែកផ្នែក: 136920

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 100 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 100 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA124ET,235

PDTA124ET,235

ចំណែកផ្នែក: 123136

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC123JT,235

PDTC123JT,235

ចំណែកផ្នែក: 198821

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC144EU,135

PDTC144EU,135

ចំណែកផ្នែក: 151492

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC114YT,215

PDTC114YT,215

ចំណែកផ្នែក: 128754

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PBRN113ET,215

PBRN113ET,215

ចំណែកផ្នែក: 160686

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 300mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTD143EUX

PDTD143EUX

ចំណែកផ្នែក: 191366

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA144TU,115

PDTA144TU,115

ចំណែកផ្នែក: 158432

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA143ET,215

PDTA143ET,215

ចំណែកផ្នែក: 173745

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTD114EUX

PDTD114EUX

ចំណែកផ្នែក: 139283

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA113ZT,215

PDTA113ZT,215

ចំណែកផ្នែក: 132667

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC144WU,115

PDTC144WU,115

ចំណែកផ្នែក: 102127

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC143TU,135

PDTC143TU,135

ចំណែកផ្នែក: 136827

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC143ET,235

PDTC143ET,235

ចំណែកផ្នែក: 197356

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTB143ETVL

PDTB143ETVL

ចំណែកផ្នែក: 187833

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTD113ZT,215

PDTD113ZT,215

ចំណែកផ្នែក: 188425

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA144EU,135

PDTA144EU,135

ចំណែកផ្នែក: 151547

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTD123YT,215

PDTD123YT,215

ចំណែកផ្នែក: 109405

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC123TT,235

PDTC123TT,235

ចំណែកផ្នែក: 134160

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTB123TT,215

PDTB123TT,215

ចំណែកផ្នែក: 196869

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA113ZU,115

PDTA113ZU,115

ចំណែកផ្នែក: 173073

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC123TT,215

PDTC123TT,215

ចំណែកផ្នែក: 137637

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA143XTVL

PDTA143XTVL

ចំណែកផ្នែក: 118815

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTB143EUX

PDTB143EUX

ចំណែកផ្នែក: 193094

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA124XU,115

PDTA124XU,115

ចំណែកផ្នែក: 138309

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTA143TT,215

PDTA143TT,215

ចំណែកផ្នែក: 119582

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTD113ZTVL

PDTD113ZTVL

ចំណែកផ្នែក: 102002

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTD113ZUX

PDTD113ZUX

ចំណែកផ្នែក: 190677

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PDTC114YU,115

PDTC114YU,115

ចំណែកផ្នែក: 148458

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា