ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ

ផ្ទហ
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ

Microsemi Corporation

2N6284

ចំណែកផ្នែក: 141

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5092

ចំណែកផ្នែក: 142

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N6674

ចំណែកផ្នែក: 114

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5877

ចំណែកផ្នែក: 121

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5005

ចំណែកផ្នែក: 115

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5339

ចំណែកផ្នែក: 171

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N4033UA

ចំណែកផ្នែក: 3698

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N3868S

ចំណែកផ្នែក: 152

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N3468L

ចំណែកផ្នែក: 147

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N3507L

ចំណែកផ្នែក: 105

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5868

ចំណែកផ្នែក: 169

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N1717

ចំណែកផ្នែក: 159

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N4233

ចំណែកផ្នែក: 117

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N6191

ចំណែកផ្នែក: 172

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5879

ចំណែកផ្នែក: 136

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5784

ចំណែកផ្នែក: 166

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N1016D

ចំណែកផ្នែក: 105

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N2906AUB

ចំណែកផ្នែក: 8190

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.6V @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5660

ចំណែកផ្នែក: 123

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5039

ចំណែកផ្នែក: 143

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5662

ចំណែកផ្នែក: 131

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N6315

ចំណែកផ្នែក: 96

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N6279

ចំណែកផ្នែក: 175

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N4903

ចំណែកផ្នែក: 174

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N3440L

ចំណែកផ្នែក: 4241

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 250V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 4mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 2µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5152L

ចំណែកផ្នែក: 105

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5347

ចំណែកផ្នែក: 109

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5302

ចំណែកផ្នែក: 104

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N930A

ចំណែកផ្នែក: 8885

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5151

ចំណែកផ្នែក: 107

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5872

ចំណែកផ្នែក: 132

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N3637UB

ចំណែកផ្នែក: 4041

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 175V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N3057A

ចំណែកផ្នែក: 7604

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5384

ចំណែកផ្នែក: 120

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5681

ចំណែកផ្នែក: 103

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

2N5781

ចំណែកផ្នែក: 155

បញ្ជីប្រាថ្នា

1189

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»