ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, SiC MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
