ការចងចាំ

DS1230Y-200IND

DS1230Y-200IND

ចំណែកផ្នែក: 111

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1230AB-70

DS1230AB-70

ចំណែកផ្នែក: 1654

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1245Y-120IND+

DS1245Y-120IND+

ចំណែកផ្នែក: 1908

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 120ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS2502X1+U

DS2502X1+U

ចំណែកផ្នែក: 6190

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1245WP-100+

DS1245WP-100+

ចំណែកផ្នែក: 2099

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1230YP-70+

DS1230YP-70+

ចំណែកផ្នែក: 2397

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS2502R+00B

DS2502R+00B

ចំណែកផ្នែក: 8875

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS2502R-00C+T&R

DS2502R-00C+T&R

ចំណែកផ្នែក: 8924

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS3645B

DS3645B

ចំណែកផ្នែក: 5536

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS2433X-300-EC#TW

DS2433X-300-EC#TW

ចំណែកផ្នែក: 1461

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (256 x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 1µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1230AB-70IND+

DS1230AB-70IND+

ចំណែកផ្នែក: 2589

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS24B33G+U

DS24B33G+U

ចំណែកផ្នែក: 987

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (256 x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS28CN01U-W0D+1T-C

DS28CN01U-W0D+1T-C

ចំណែកផ្នែក: 8899

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1225AB-170+

DS1225AB-170+

ចំណែកផ្នែក: 3457

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 170ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1225Y-150+

DS1225Y-150+

ចំណែកផ្នែក: 3361

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1345ABP-70+

DS1345ABP-70+

ចំណែកផ្នែក: 2648

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1230Y-150+

DS1230Y-150+

ចំណែកផ្នែក: 2498

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1345WP-150+

DS1345WP-150+

ចំណែកផ្នែក: 2540

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1330WP-150+

DS1330WP-150+

ចំណែកផ្នែក: 3617

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1330WP-100+

DS1330WP-100+

ចំណែកផ្នែក: 3660

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS2501S-UNW-111B/T&R

DS2501S-UNW-111B/T&R

ចំណែកផ្នែក: 1413

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1225Y-200+

DS1225Y-200+

ចំណែកផ្នែក: 3240

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1230WP-100+

DS1230WP-100+

ចំណែកផ្នែក: 2908

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1225Y-150IND+

DS1225Y-150IND+

ចំណែកផ្នែក: 3736

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS2502X1+UW

DS2502X1+UW

ចំណែកផ្នែក: 8013

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS28E10P-W22+2TW

DS28E10P-W22+2TW

ចំណែកផ្នែក: 8019

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 224b (28 x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1225AD-150+

DS1225AD-150+

ចំណែកផ្នែក: 3507

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS2502AX-500-00/T&R/

DS2502AX-500-00/T&R/

ចំណែកផ្នែក: 5251

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS2432X-S+TW

DS2432X-S+TW

ចំណែកផ្នែក: 7904

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (1K x 1),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS28E15X+UW

DS28E15X+UW

ចំណែកផ្នែក: 8065

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 512b (512 x 1),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS28E07+W

DS28E07+W

ចំណែកផ្នែក: 8084

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (256 x 4),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS28E01G-100+T&R

DS28E01G-100+T&R

ចំណែកផ្នែក: 4591

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (256 x 4),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS2433AX-S+TW

DS2433AX-S+TW

ចំណែកផ្នែក: 8012

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (256 x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS28EL15Q-742+3TW

DS28EL15Q-742+3TW

ចំណែកផ្នែក: 8078

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 512b (256 x 2),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DSQ09G5-004-740

DSQ09G5-004-740

ចំណែកផ្នែក: 6846

បញ្ជីប្រាថ្នា
DS1225Y-200IND+

DS1225Y-200IND+

ចំណែកផ្នែក: 3594

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា